（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（10）申请公布号CN102945693A（43）申请公布日20130227
（21）申请号CN2012104294787
（22）申请日20121031
（71）申请人清华大学昆山维信诺显示技术有限公司北京维信诺科技有限公司
地址100084北京市海淀区清华大学何添楼111室
（72）发明人邱勇赵炎段炼
（74）专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人寇海侠
（51）I
tCI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法及其应用
（57）摘要
本发明提供一种通过卤化ITO以提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法，及该种ITO透明导电薄膜在OLED中的应用。所述方法是将过氧化物在紫外光照下产生羟基自由基，有机卤代化合物受羟基自由基攻击，卤素原子相继被羟基亲核取代，卤素自由基在ITO表面形成I
X键。所述混合溶液中的过氧化物加速了I
X键的形成，紫外光处理时间短，降低了制备成本；本发明在常温常压下即可进行反应，反应条件温和，工艺
f简单。制备的ITO透明导电薄膜表面功函数高。运用所述ITO透明导电薄膜的OLED，可以有效的实现空穴注入，而无需引入空穴注入层，不但简化了器件结构、降低了成本，而且还提高器件的性能。
法律状态
法律状态公告日201302272013091820160316
法律状态信息公开实质审查的生效授权
法律状态公开实质审查的生效授权
f权利要求说明书
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f说明书
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