，载体15年有望放量254、公司CMP抛光材料一旦突破相当于再造一个鼎龙26
f一、CMP抛光材料：市场空间超100亿元，有望实现进口替代
我们认为CMP抛光耗材市场空间大（约20亿美元）、技术壁垒高（高盈利且具有持续性的核心原因）、行业增速快（IC受益于全球半导体产业复苏、蓝宝石在非LED领域有望取得较快发展），并且目前国内市场基本被外资所垄断，未来鼎龙股份将受益于国产化的进口替代进程。与设备的一次性投入不同，抛光材料为易耗品，抛光垫在使用一定时间之后会出现釉化等现象，需要更换，而抛光液也是需要在使用的过程中及时更换，这一点CMP抛光垫和抛光液与彩色碳粉非常类似。易耗品的优势在于，投入非一次性，只要生产就需要采购，上游生产企业周转快、盈利强。1、CMP行业简介：耗材分为抛光垫、抛光液CMPChemicalMecha
icalPolishi
g是化学的和机械的综合作用，在一定压力及抛光液存在下，在抛光液中的腐蚀介质作用下工件表面形成一层软化层，抛光液中的磨粒对工件上的软化层进行磨削，因而在被研磨的工件表面形成光洁表面。相比其他方式的抛光CMP避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点，自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM的生产中以后，CMP技术在世界各地迅
f速发展起来。（1）CMP原理及其结构CMP基本原理是：将旋转的被抛光晶片压在与其同方向旋转的弹性抛光垫上，而抛光液在晶片与底板之间连续流动。上下盘高速反向运转，被抛光晶片表面的反应产物被不断地剥离，新抛光液补充进来，反应产物随抛光液带走。新裸露的晶片平面又发生化学反应，产物再被剥离下来而循环往复，在衬底、磨粒和化学反应剂的联合作用下，形成超精表面。CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的三大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。
（2）CMP耗材之一：抛光液抛光液是CMP中一个重要的因素，抛光液的质量对抛光速率及抛光质量有着重要的作用，抛光液主要是对工件有化学腐蚀作用和机械作用，最终达到对工件的抛光。抛光液的基本要求包括流动性好、不
f易沉淀和结块、悬浮性能好、无毒、低残留、易清洗等。抛光液的精确混合和批次之间的一致性对获得产品单片之间、批与批的重复性是至关重要的，其质量是避免在抛光r