T来做就可以，这样驱动电路会简单很多，但P沟道的功率MOSFET又贵又难买，为了节省成本，只能用N沟道的代替，但N沟道的MOSFET导通时其栅极G的电压必须比源极S高出10V以上才能保证完全导通，这样在上桥导通时，假设电源电压为48V，那么上桥G极的电压就必须比电源电压高12V也就是大于60V才行。但怎样获得比电源电压还高的驱动电压呢？一般情况可以通过变压器耦合驱动信号，电荷泵升压提供高压等方法，而在这里，则采用了一种叫做“高压浮栅型驱动电路”来驱动上桥。顾名思义，浮栅驱动的栅极是浮动的，这是一个很形象的描述，我们根据线路图来分析一下栅极是怎样“浮动”起来的
我们先看一下C5的接法，这是整个驱动的关键所在，C5正极通过二极管接到135V电源（实际在135V左右），负极很奇怪地接到电机的相位线，与它所驱动的MOSFETV1的源极接在一起，在电机不动的情况下，所有的MOSFET关闭，此时C5通过二极管D1，电阻R40充电至接近135V当A和PWM的合成信号使U4A的3脚输出高电平时，q1导通带动t1导通，这样12V多的电压就会加到V1的栅极使V1导通，而V1导通使电源电压加至负载，也就是V1的源极电压会升高至48V，而此时由于C5充满电，C5上的电压仍然是12V，所以可以维持t1的导通并使V1栅极的电压始终保持高于VCC，这样V1的栅极就好像随着源极电压浮动而浮动，所以叫做“浮栅驱动”。这时如果U4A的3脚一直维持高电平的话，在电容k1和MOSFET本身GS间电容充饱电之后，C5上的储存的电荷主要通过t1的BE结，电阻a1到三极管q1放电（由于此时二
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f极管D7处于正偏状态，所以t2的BE结反偏而截止，因此t2并不参与放电），如果C5足够大，那么可以在相当长的一段时间内保证V1的驱动电压在合理的范围内。这里b1放在q1的射极上组成一个近似恒流的驱动电路，用以保证在C5正极电压升得很高时，通过三极管q1的放电电流不致过大而导致电容很快放完。当U4A的3脚输出低电平时，q1t1迅速关闭，t2开始导通，将k1和栅极本身积累的电荷迅速泄放，V1被关闭，而此时由于另两组中的一组之下桥维持在导通状态，电容C5就会通过电机绕组和该下桥迅速充电补充电能，为下一个周期做准备。
从上面的过程可以看出，电容C5的充电量应该是越大越好，但电容大了，可能二极管来不及给电容充电，电容小了，又不能保证导通时间，所以这种驱动不能使V1长时间维持在导通状态，这也是为什么PWM信号要耦合到上桥的一个原因。
其次对于这个驱动电路有人还r