）发射极与集电极的判别为使三极管具有电流放大作用，发射结需加正偏置，集电结加反偏置。如附图Ⅱ－4所示。
（a）NPN型
bPNP型
图附Ⅱ－4晶体三极管的偏置情况
当三极管基极B确定后，便可判别集电极C和发射极E，同时还可以大致了
f解穿透电流ICEO和电流放大系数的大小。以PNP型管为例，若用红表笔（对应表内电池的负极）接集电极C，黑表笔
接E极，（相当C、E极间电源正确接法），如附图Ⅱ－5所示，这时万用表指针摆动很小，它所指示的电阻值反映管子穿透电流ICEO的大小（电阻值大，表示ICEO小）。如果在C、B间跨接一只RB＝100K电阻，此时万用表指针将有较大摆动，它指示的电阻值较小，反映了集电极电流IC＝ICEO＋IB的大小。且电阻值减小愈多表示愈大。如果C、E极接反（相当于CE间电源极性反接）则三极管处于倒置工作状态，此时电流放大系数很小（一般＜1）于是万用表指针摆动很小。因此，比较CE极两种不同电源极性接法，便可判断C极和E极了。同时还可大致了解穿透电流ICEO和电流放大系数β的大小，如万用表上有hFE插孔，可利用hFE来测量电流放大系数β。
附图Ⅱ－5晶体三极管集电极C、发射极E的判别
3、检查整流桥堆的质量整流桥堆是把四只硅整流二极管接成桥式电路，再用环氧树脂（或绝缘塑料）封装而成的半导体器件。桥堆有交流输入端（A、B）和直流输出端（C、D），如附图Ⅱ－6所示。采用判定二极管的方法可以检查桥堆的质量。从图中可看出，交流输入端AB之间总会有一只二极管处于截止状态使AB间总电阻趋向于无穷大。直流输出端DC间的正向压降则等于两只硅二极管的压降之和。因此，用数字万用表的二极管档测AB的正、反向电压时均显示溢出，而测DC时显示大约1V，即可证明桥堆内部无短路现象。如果有一只二极管已经击穿短路，那么测AB的正、反向电压时，必定有一次显示05V左右。
f附图Ⅱ－6整流桥堆管脚及质量判别
4、电容的测量电容的测量，一般应借助于专门的测试仪器。通常用电桥。而用万用表仅能粗略地检查一下电解电容是否失效或漏电情况。测量电路如附图Ⅱ－7所示
附图Ⅱ－7电容的测量
测量前应先将电解电容的两个引出线短接一下，使其上所充的电荷释放。然后将万用表置于1K档，并将电解电容的正、负极分别与万用表的黑表笔、红表笔接触。在正常情况下，可以看到表头指针先是产生较大偏转（向零欧姆处），以后逐渐向起始零位（高阻值处）返回。这反映了电容器的充电过程，指针的偏转反映电容器充电r