时序图4DS18B20与单片机的典型接口设计图4以MCS－51系列单片机为例，画出了DS18B20与微处理器的典型连接。图4（a）中DS18B20采用寄生电源方式，其VDD和GND端均接地，图4（b）中DS18B20采用外接电源方式，其VDD端用3V～55V电源供电。
a）寄生电源工作方式
f（b）外接电源工作方式图4DS18B20与微处理器的典型连接图
假设单片机系统所用的晶振频率为12MHz，根据DS18B20的初始化时序、写时序和读时序，分别编写了3个子程序：INIT为初始化子程序，WRITE为写（命令或数据）子程序，READ为读数据子程序，所有的数据读写均由最低位开始。
DATEQUP10……INITCLREAINI10SETBDATMOVR2＃200INI11CLRDATDJNZR2INI11；主机发复位脉冲持续3μs×200600μsSETBDAT；主机释放总线，口线改为输入MOVR2＃30IN12DJNZR2INI12；DS18B20等待2μs×3060μsCLRCORLCDAT；DS18B20数据线变低（存在脉冲）吗？JCINI10；DS18B20未准备好，重新初始化MOVR6＃80INI13ORLCDAT
fJCINI14；DS18B20数据线变高，初始化成功DJNZR6INI13；数据线低电平可持续3μs×80240μsSJMPINI10；初始化失败，重来INI14MOVR2＃240IN15DJNZR2INI15；DS18B20应答最少2μs×240480μsRET；－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－WRITECLREAMOVR3＃8；循环8次，写一个字节WR11SETBDATMOVR4＃8RRCA；写入位从A中移到CYCLRDATWR12DJNZR4WR12；等待16μsMOVDATC；命令字按位依次送给DS18B20MOVR4＃20WR13DJNZR4WR13；保证写过程持续60μsDJNZR3WR11；未送完一个字节继续SETBDAT
fRET；－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－READCLREAMOVR6＃8；循环8次，读一个字节RD11CLRDATMOVR4＃4NOP；低电平持续2μsSETBDAT；口线设为输入RD12DJNZR4RD12；等待8μsMOVCDAT；主机按位依次读入DS18B20的数据RRCA；读取的数据移入AMOVR5＃30RD13DJNZR5RD13；保证读过程持续60μsDJNZR6RD11；读完一个字节的数据，存入A中SETBDATRET；－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－主机控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：初始化、
fROM操作指令、存储器操作指令。必须先启动DS18B20开始转换，再读出温度转换值。假设一线仅挂接一个芯片，使用默认的12位转换精度，外接供电电源，可写出完成一次转换并读取温度值子程序GETWD。
GETWDLCALLINITMOVA＃0CCHLCALLWRITE；发跳过ROM命令MOVA＃44HLCALLWRITE；发启动转换命令LCALLINITMOVA＃0CCH；发跳过ROM命令LCALLWRITEMOVA＃0BEH；发读存储器命令LCALLWRITELCALLREADMOVWDLSBA；温度值低位字节送WDLSBLCALLREADMOVWDMSBA；温度值高位字节送WDMSBRET
f……
子程序GETWD读取的温度值高r