铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成份为05铜，1硅及985铝，一般制程通常是使用99铝1硅．后来为了金属电荷迁移现象ELECTROMIGRATION故渗加05铜降低金属电荷迁移
ALUMINUM铝此为金属溅镀时，所使用的一种金属材料，利用AR离子，让其撞击此种材料做成的靶表面把AL原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此做为组件与外界导线之连接。
ANGLELAPPING角度研磨ANGLELAPPING的目的是为了测量JUNCTION的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之ANAGLELAPPING。公式为XjNF，即JUNCTION深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应，如SRPSPREADINGRESISTANCEPRQBING也是应用ANGLELAPPING的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻质的对应关系求出JUNCTION的深度，精确度远超过入射光干涉法。
ANGSTROM埃是一个长度单位，其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层如SiO2，POLY，SIN厚度时用。
APCVDATMOSPRESSURE常压化学气相沉积APCVD为ATMOSPHERE大气PRESSURE（压力）CHEMICAL化学VAPOR气相及DEPOSITION沉积的缩写，也就是说，反应气体如SIH4g，PH3（g）B2H6和O2（g）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物如BPSG于芯片上。
2
fAs75砷
．自然界元素之一。由33个质子42个中子及75个电子所组成。．半导体工业用的砷离子As可由AsH气体分解而得到。．As是Ntypedopa
t常用做N．场区空乏区及SD植入。
Ashi
gStrippi
g电浆光阻去除
l电浆光阻去除，就是以电浆Plasma的方式将芯片表面之光阻加以去除。2电浆光阻去除的原理系利用氧气在电浆中所产生之自由基Radical与光阻高分子的有机物发生作用，产生挥发性的气体，再由邦浦抽走，达到光阻去除的目的。反应机构如下示OPRCO2H2OPolymerfragme
ts，3电浆光阻去除的生产速率throughput通常较酸液光阻去除为慢但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻无法将表面已变质之光阻加以去除故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
Assembly晶粒封装
以树脂或陶瓷材料将晶粒包在其中以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程即称为晶粒封装Assembly。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树脂材料作晶粒的r