附件1：参赛教师：
教学内容教学对象授课时间
教案格式
教案序号：
第四章第一节第一课时晶体二极管及其特性某某班2012年10月12日1、了解半导体的基本知识；2、掌握PN结的形成过程及基本特性；3、理解晶体二极管的伏安特性和主要参数。重点：掌握PN结的基本特性难点：晶体二极管的伏安特性课堂板书教学
教学目的
教学重点难点教学方法
教学步骤与内容
教学步骤与内容一、复习导入电子技术发展异常迅速，应用很广。而半导体管是电子电路的心脏。本节我们主要来学习半导体基本知识及PN结的形成，及晶体二极管的特性。二、新知学习一、半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。1、本征半导体（1）定义：不含其它杂质的纯净半导体称为本征半导体。（2）结构：硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。硅锗的原子结构2分钟教学方法时间分配
10分钟
f硅锗的共价键结构
（3）本征激发：指半导体在加热或光照作用下，产生电子空穴对的现象。（4）载流子本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。2、掺杂半导体（1）定义：在本征半导体中掺入微量的杂质元素，就形成了掺杂半导体。（2）N型半导体在本征半导体中掺入少量五价元素原子，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠自由电子导电。（3）P型半导体在本征半导体中参入少量三家元素原子，称为P型半导体。其多数载流子为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。二、PN结的形成和特性1、定义：将P型和N型半导体经过一定的制造工艺紧密结合起来，在它们的交界面上就形成了PN结。2、PN结的形成过程由于P型半导体一侧的多数载流子为空穴，空穴浓度较大，而N型半导体一侧的多数载流子为电子，电子浓度较大，中宗差异使这些多子越过交界面向另一侧扩散。但是，由于电子和空穴都是带电的，他们的扩散结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了，区一侧因失去空穴而留下P不能移动的负离子，区的一侧因失去电子而留下不能移动的正离N子，这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷。它们集中在P区和N区交界面附近，形成了一个很满的空间电荷区，这就是我们所说的PNr