片BUL4XXB来对比。在统计的100个发生弹坑的样本中，发射级E区有弹坑的为96，基极B区有弹坑的为4，绝大部分弹坑都发生在芯片的发射级E区上。从表象上分析能说明基极比发射极更耐冲击。
通过解剖芯片发现，铝层下的发射极和基极的介质材料是不一样的，发射极基底材料为二氧化硅，而基极的基底材料为硅。从有此类设计的芯片中都发现了在同一冲击力下二氧化硅材质容易产生弹坑的的现象可以说明，硅基底要比二氧化硅基底更硬。分析完这两者之间的差异后，设计芯片版图时两个键合区下的介质层都设计成硅材料的结构，这在设计方法上是完全可行的。
5发射极二极管的版图分析
由于大部分发射极有二极管设计的芯片存在着较高比例的弹坑损伤失效，这最后的问题就需要分析发射极上的二极管结构了。
带二极管系列的这类芯片，从失效的情况来看，大部分弹坑发生的地方也都是二极管所在的发射极上，所以失效的因素肯定和二极管结构相关。从生产线上统计，弹坑最严重的产品为BUL4XXC这个产品，即使在铝层已经加厚到5um厚的情况下，还会有4的弹坑失效存在，而同样是二极管系列的芯片BUL2XXD在铝层厚度4um的情况下只有23的弹坑失效。如图3a为BUL4XXC，3b为BUL2XXD左边的键合区就是三极管的发射极，里面都有一个长方形的结构，这就是二极管结构。
总结了二极管弹坑位置的图像发现，容易发生弹坑的区域还是有特点的。从图4中可以发现产生弹坑的区域总是在键合区内有线条的图形上，a图和b图都在二极管的边线上，c图上面的坏点则压到了一个圆形的引线孔上，而下面没有压到的焊点则没有损坏。
用KOH溶液把芯片铝层去掉后观察发现，方条形的二极管和圆孔的引线孔都是用光刻刻出来的窗口，刻出来的窗口与二氧化硅层有12um的高度差，也就是说两者之间存在一个阶梯状的台阶。铜球压在台阶上容易造成弹坑损伤。
综上分析，键合区里任何结构的台阶设计，只要铜球压点压在这样的台阶上，受力点就不在一个平面上，强大的冲击力完全作用到台阶的上沿，接触面积变小，压强增大，致使台阶上沿承受不了而产生裂纹，细小的裂纹很容易沿着硅片的解理面裂开，在最终的压力下形成弹坑。最后解决的方式就是版图设计时把二极管宽度尺寸扩大，能容下相应尺寸的铜球既可。
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6结语
如此经过这一系列的键合区铝层结构的调整，找出了增强芯片铝层抗冲击力的设计方法，基本解决了铜丝键合的弹坑损伤问题。减轻了铜丝工艺在封装键合时工艺宽容度窄的问题，r