路参数。冲击电流抑制回路，其中，R为接入的冲击电流抑制电阻，Relay为继电器的常开点。起动时，由于起动电阻串接在输入回路中，可把冲击电流限制到我们所希望的范围内。当电容器充有足够的电压、认为起动过程可以结束时，通过继电器Relay将电阻R旁路（短接），电路正常工作。本设计中，最大输入电压为264伏。等效负载电阻为：若接入的电阻，则可把起动电流限制到负载电流的水平，则起动过程是相当安全的。但由于调节器的输入电容较大（6000uF），则输入电容结束充电的时间长，一般为（35）RC，取4RC13秒，加上继电器控制电路的延时；则起动电阻的实际投入时间会超过2秒，若起动过程的平均电流为4安，则电阻的功耗峰值为848W，2秒的起动过程会产生1600焦耳以上的热量。因此要选择功耗很大的电阻器，尺寸也会很大，这是令人难以接受的，也是不现实的。为此，应选择阻值更大的电阻器，而阻值加大，结束起动过程随之延长，仍难令人满意。因止在抑制电阻回路中再串入一个负温度系数的热敏电阻NTCR，见图2b。一方面，在起动过程刚开始时，电路有较强的抑流能力；另一方面，随着起动过程的进行，负温度系数电阻的阻值下降，使电容器的充电电流又不至于太小，起动过程不至过长。33开关浪涌吸收保护电路本应用中的开关元件选择为IGBT模块。IGBT是一种电压控制的大功率高速可自关断的电力电子元件。它属于复合型器件，由MOSFET和晶体管构成达林顿结构。IGBT与其它功率开关一样，在开关管关断时，由于主回路电流的急剧下降，主回路存在的寄生电感将会引起很高的集源电压，称为开关浪涌电压。开关浪涌电压的峰值很高，可达常态电压的两倍。这样高的浪涌电压就可能使IGBT超过其安全工作区，导致IGBT损坏，另外它也是产生噪声的一个原因。
f图3吸收电路原理图抑制浪涌电压的有效措施是采用吸收电路，电路。吸收电路的原理是：当开关管关断时，蓄积在寄生电感中的能量通过开关的寄生电容（图中未画出）充电，开关电压上升；当此电压上升到吸收电容C的电压与输出电压之和时，吸收二极管导通。由于电容器的电压不能突变，因此开关的电压上升率被限制。34开关管的驱动保护电路栅极驱动电路的设计是否合理，是IGBT实际应用中的一个重要问题。IGBT驱动电路形式一般有三种：直接驱动型、隔离驱动型和集成模块驱动型。在电路设计中最好选用专用芯片，因为专用芯片都带有比较完善的保护功能，可靠性高，只需很少的外围元件，使用方便。目前市r