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XXSSeTe”JChemPhys1441147082016专利1：一种微纳加工制备电子器件的方法（ZL201610121130X）专利2：一种利用二维半导体制作场控带通晶体管阵列器件的知识产权名方法（ZL2016100983740）称专利3：一种ZrS2二维半导体材料的制备方法（ZL2016101210985）专利4：一种三氧化钼薄膜的制备方法及制备的光电器件（ZL2016101211117）
推广应用情况
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