处于模糊不请状态,所以,在1950年之前有关溅射薄膜特性的技术资料,多数是不可靠的。19世纪中期,只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和难熔金属材料的薄膜制备工艺中,采用溅射技术。1970年后出现了磁控溅射技术,1975年前后商品化的磁控溅射设备供应于世,大大地扩展了溅射技术应用的领域。到了80年代,溅射技术才从实验室应用技术真正地进入工业化大量生产的应用领域。最近15年来,进一步发展了一系列新的溅射技术,几乎到了目不暇接的程度。
磁控溅射是70年代在阴极溅射的基础上发展起来的一种新型溅射镀膜法,具有成膜均匀,膜重复性好,适于大规模工业性生产等特点,因此应用较为广泛。
f2
陕西科技大学毕业设计(论文)说明书
第一章ITO薄膜概述
§11ITO薄膜的结构
I
2O3的结晶具有体心立方铁锰矿结构(a010118
m),
其晶体结构如图11所示。每个惯用元胞的32个氧离子
按尖晶石结构排列成立方密堆积,组成氧离子的面心立方
格子。在氧离子的面心立方格子中,有氧四面体间隙位置
(称为A位)和氧八面体间隙位置(称为B位)。而643
个(平均)铟离子无规则的分布在A间隙和B间隙位置,
每个惯用元胞平均有83个阳离子空位。氧离子对氧离子
的立方密堆积配位数为12,铟离子对铟离子的A位配位
数为4,而B位配位数为8。如果把一个惯用元胞分成八
个部分,取A类的占4个部分,取B类的也占4个部分,
因为每个惯用元胞含881个顶点铟离子,623个面心铟离子,4个A为铟离子,剩下有6438403个B位铟离子,则平均每个部分占有103个B位,所以铟离子对铟离子的平均配位数12×412×8×103×14163。1
氧离子铟离子图11I
2O3的体心立方结构
三氧化二锡的导电机理是因为I
2O3形成过程中,没有构成完整的理想化学配比结构,
结晶结构中缺少氧原子(氧空位),因此存在着剩余的自由电子,从而表现出一定的电子导
电性。我们用S
4占据晶格中的I
3的位置,会形成一个一价正电荷中心S
I
和一个多余的
价电子这个价电子挣脱束缚而成为导电电子。因此在ITO陶瓷靶材料中掺入S
O2的结果是
增加了净电子,使晶粒导电性增加。
§12ITO薄膜的特性
氧化铟锡I
diumTi
Oxide简称ITO透明导电薄膜是一种
型半导体材料,具有较高的自由载流子浓度(数量级在1020cm3)适当的带宽(262375ev)。
由于ITO具有优良的性能,如高的可见光透过率、高的红外反射率、高的电导率、良好的机械强度和化学稳定性、用酸溶液湿法刻蚀工艺很容易形成一r