19431靶基距的选定19432溅射时间的选定20433溅射气压的选定21434退火工艺对方阻和透过率的影响21435基片温度对方阻和透过率的影响23§44霍耳效应24§45X射线衍射26第五章结论27致谢28参考文献29
f磁控溅射法制备ITO膜的研究
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磁控溅射法制备ITO膜的研究
前言
19世纪末透明导电薄膜材料的研究刚刚起步当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜。经历一段很长时间后的第二次世界大战期间，关于透明导电材料的研究才进入一个新的时期，于是开发了由宽禁带的
型简并半导体S
O2材料主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。在1950年，第二种透明半导体氧化物I
2O3首次被制成，特别是在I
2O3里掺入锡以后，使这种材料（掺锡氧化铟，即I
diumTi
Oxide，简称ITO）在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用，锡掺杂的氧化铟（ITO）透明导电膜是一种重要的光电信息材料，优良的光电特性使其在太阳电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广泛的应用。以玻璃为衬底的ITO透明导电膜已进行过广泛深入的研究。近年来，有机薄膜基片ITO透明导电膜以其可挠曲、重量轻、不易碎、易于大面积生产和便于运输等优点而受到重视。目前国际上报道的柔性衬底ITO透明导电膜大都采用磁控溅射法制备
1842年格洛夫（Grove）在实验室中发现了阴极溅射现象。他在研究电子管阴极腐蚀问题时，发现阴极材料迁移到真空管壁上来了。但是，真正应用于研究的溅射设备到1877年才初露端倪。迄后70年中，由于实验条件的限制，对溅射机理的认同长期r