些中间状态。这些中间状态是禁带中的一些能级复合中心复合中心可以位于体内也可以与表面有关。陷阱效应在非平衡载流子的情况下发生的一种效应，金属绝缘体半导体能带金属有一个部分充满的导带。绝缘体导带和价带之间存在较大的能隙导带全空价带全满满带电子对导电没有贡献半导体导带和价带之间存在适当能隙的材料Eg∽1eV导带几乎全空价带几乎全满电子刚好填满最后一个带→绝缘体和半导体。一个带仅仅是部分被电子占有→导体迁移率随温度和杂质浓度Ni的影响低温时，主要是电离杂质的散射，T↑，μ↑。高温时，主要是晶格散射，T↑，μ↓。Ni＜1017cm3，μ与Ni无关；Ni＞1017cm3，μ随Ni的增加而下降。电阻率随温度的变化AB段温度很低，本征激发可忽略，载流子主要由电离提供，随温度升高而增加，散射
主要由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而增大，所以电阻率随温度升高而下
f降。BC段温度升高，杂质已全部电离，本征激发还不十分显著，载流子基本上不
随温度变化，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度升高而降低，所以，
电阻率随温度升高而增大。C段温度继续升高，本证激发很快增加，大量本征载
流子的产生远远超过迁移率减小对电阻率的影响，电阻率随温度升高而极具下
降。声学波散射对能带具有单一极值的半导体或多极值半导体中电子在一个能
谷内的散射。主要起散射作用的是长波。长声学波中主要起散射作用的是纵波。
长纵声学波传播时和气体中的声波类似，会造成原子分布的疏密变化，产生体变，
即疏处体积膨胀，密处压缩。如图。在一个波长中，一半处于压缩状态，一半处
于膨胀状态，这种体变表示原子间距的减小或增大。声学波散射几率随温度的升
高而增加。准费米能给的偏移多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能级偏
离不多，而少数载流子的准费米能级则偏离很大。空穴扩散流密度Sp单位时间通过单位面积的粒子数空穴扩散系数Dp反映了非平衡少数载流子扩散本领的大小。PN结及其能带图当无外加电压载流子的流动终将达到动态平衡漂移运动
与扩散运动的效果相抵消电荷没有净流动p
结有统一的EF平衡p
结。结面附近存在内建电场造成能带弯曲形成势垒区即空间电荷区半导体功函数
WsE0（EF）s。电子亲和能xE0Ec。欧姆接触它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。反型状态表面处少子浓度
，当表面处少子浓度时，上式变化为或
s



p
0
exp
qVr