。在其余的材料中，三种二元化合物（Z
O，I
2O3和S
O2）以及有这些二元或三元化合物组成的多元氧化物是最有可能的液晶显示器透明电极的材料。我们以前指出可行的减少铟的使用的方法是用含铟量更少的多元氧化物，例如Z
OI
2O3I
2O3S
O2，Z
I
S
O以及由Z
OI
2O3和S
O2组成的任何组分比例的氧化物25。表2总结了含铟量少的多元氧化物TCO材料的特性。在适当的沉积条件下通过磁控溅射或真空电弧等离子体沉积方法制备的薄膜就具有这些特性25。Z
OI
2O3，I
2O3S
O2以及具有适当组分比的Z
I
S
O多元氧化物被认为是能够作为LCDs透明电极的可能的替代材料。这些材料能使铟的使用量降低到一半或更低。
另一种方法是利用诸如Z
O和S
O2多元氧化物等无铟材料15然而掺杂S
O2和S
O2基质材料由于不能在低温基板上沉积低电阻率薄膜所以不适合用
在液晶显示器上并且还有刻蚀难题因此目前最好的唯一可行的无铟TCO候选材料是掺杂Z
O我们前面提到的替代ITO的AZO和GZO透明导电薄膜的重要性特别地AZO更适合用在液晶显示器上135
3ITO替代品AZO和GZO的相关问题
AZO和GZO的透明导电薄膜代替ITO透明电极用在LCDs上还有很多苦难要克服虽然人们相信这些问题最终都可以解决但是目前急需解决的是发展液晶显示器制膜技术和提高厚度小于100
m的薄膜在各种环境下工作的稳定性51112适用于液晶显示器的实用的薄膜制备技术制造工艺要达到以下最低要求：透明导电在低于200℃快速大面积沉积的厚度约50
m的AZO和GZO薄膜
f电阻率可达104Ωcm13此外提高在各种环境下工作的稳定性可能还需要满足一些其他要求虽然已有利用PLD制备电阻率达105ΩcmAZO薄膜的报道但是上面提到的要求却大大限制了单一使用MS1416和VAPE1719等制膜方法并且要想获得厚度小于50
m稳定的AZO薄膜实际应用中的VAPE方法还要解决许多难题因此在LCDs制备流程中MS是唯一合适的制备AZO和GZO透明导电薄膜的方法31适合制备AZO和GZO的磁控溅射沉积
上面提到过拥有氧化物陶瓷靶的直流磁控溅射设备已经广泛用来制备用于LCDs的ITO透明导电薄膜然而众所周知在低温下使用氧化物靶材通过直流磁控溅射法制备的TCO薄膜面电阻有一定的空间分布2025例如图1显示了沉积于平行圆形靶材表面放置的基板上的TCO薄膜典型的电阻率分布电阻率在与靶材侵蚀区相对应的基板区域上升据Tomi
agaetala
dIshibashietal报道，Mi
amietala
dIchiharaetal把电阻率的分布归咎于基板表面吸附氧的量与其活性2021r