的一端，电容C5的另一端接地电位，电阻R1的另一端接至电源Vg，电容C6的一端接至电源Vg，电容C6的另一端接地电位，电感L4的一端连接MOS管的漏极，电感L4的另一端与电阻R2的一端共同接至电容C7的一端，电容C7的另一端接地电位，电阻R2的另一端接至电源Vd，电容C8的一端接至电源Vd，电容C8的另一端接地电位。
本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其优点在于：⑴本实用新型提出的低噪声放大器在输入级同时做到了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数NFmi
，而且实现了功率的最大传输。⑵本实用新型方法简单，能够很好地被设计者掌握并应用到实际设计中。
附图说明图1为常规的放大器设计原理图。图2为本实用新型的一种同时匹配低噪声放大器的一个示例性实施例的电路
图。
具体实施方式图2图解说明本实用新型的一个实施例。有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端口，漏极
作为输出端口，源极作为公共端口。有源器件部分亦不限于只有一个共源结构的MOS管，而可为具有串迭Cascode架构的电路结构。
源简并电感Ls连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭。
电容C1和电感L1组成一个L型输入匹配网络，用于实现MOS管输入阻抗和信号源阻抗之间的匹配，其中一端与MOS管栅极相连，另一端与隔直电容C3相连接，C3的另一端与信号输入端连接。
电容C2和电感L2组成一个L型输出匹配网络，用于实现MOS管输出阻抗和负载之间的匹配，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与隔直电容C4相连接，C4
f的另一端与信号输出端连接。
两路直流偏置电路分别由电感L3、电阻R1、电容C5和C6以及电感L4、电阻R2、电容C7和C8组成，电感L3的一端连接MOS管的栅极，电感L3的另一端与电阻R1的一端共同接至电容C5的一端，电容C5的另一端接地电位，电阻R1的另一端接至电源Vg，电容C6的一端接至电源Vg，电容C6的另一端接地电位，电感L4的一端连接MOS管的漏极，电感L4的另一端与电阻R2的一端共同接至电容C7的一端，电容C7的另一端接地电位，电阻R2的另一端接至电源Vd，电容C8的一端接至电源Vd，电容C8的另一端接地电位。
本实用新型的实施案例是以MOS晶体管为范例，在实际的电路实现上，双极性晶体管或其它具有放大功能的有源器件均可按此设计方法施行。虽然以上描述的示例性LNA只包括一级放大器，本领域的技术人员应r