，电容C6的另一端接地电位，电感L4的一端连接MOS管的漏极，电感L4的另一端与电阻R2的一端共同接至电容C7的一端，电容C7的另一端接地电位，电阻R2的另一端接至电源Vd，电容C8的一端接至电源Vd，电容C8的另一端接地电位。
f说明书
技术领域本实用新型涉及一种同时匹配的低噪声放大器LowNoiseAmplifierLNA，
特别涉及一种应用在分立电路LumpCircuit设计中的同时匹配的低噪声放大器。
背景技术在无线通信领域，低噪声放大器需要放大接收到的弱信号，要求自身产生的
噪声应尽量小。除了低噪声的性能之外，低噪声放大器还必须具有足够的增益，来抑制接收机后续其他单元的噪声对整个接收机的影响。请参考图1，低噪声放大器包括有源器件，以及分别用于控制输入阻抗和输出阻抗的输入匹配网络和输出匹配网络。
在进行输入匹配设计时，将信号源与晶体管的输入阻抗之间进行共轭匹配，便可以获得最大功率传输，即获得最大增益；相应地，为了达到最小噪声系数NFmi
，必须将信号源匹配到晶体管的噪声最优源阻抗Zopt，便可以使放大器得到最佳的噪声性能。然而实现最小噪声系数和最大功率传输之间存在矛盾，设计者只能在两者之间进行权衡取舍，很难实现噪声和功率的同时匹配。
发明内容为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种应用在分立电路设计中的低噪
声放大器，即利用分立的有源和无源元器件制作在射频电路板上来实现低噪声放大器的设计，并且可以在输入级实现最小噪声系数和最大功率传输的同时匹配。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案是：一种同时匹配的低噪声放大器，包括有源器件、源简并电感SourceDege
eratio
I
ducta
ce、输入匹配电路、输出匹配电路和直流偏置电路。
有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口；源简并电感Ls连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容C1和电感L1组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另一端与隔直电容C3相连接，C3的另一端与信号输入端连接；
f电容C2和电感L2组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与隔直电容C4相连接，C4的另一端与信号输出端连接；两路直流偏置电路分别由电感L3、电阻R1、电容C5和C6以及电感L4、电阻R2、电容C7和C8组成，电感L3的一端连接MOS管的栅极，电感L3的另一端与电阻R1的一端共同接至电容C5r