AsGaB．第一电离能AsGa
D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_________（3）AsH3空间形状为________________；3）3Ga中镓原子的杂化方式为____________；（CH（4）Ga的核外电子排布式为__________________；（5）AsH3沸点比NH3低，其原因是________________；4X、Y、Z、Q、E五种元素中，X原子核外的M层中只有两对成对电子，Y原子核外的L层电子数是K层的两倍，Z是地壳内含量（质量分数）最高的元素，Q的核电荷数是X与Z的核电荷数之和，E在元素周期表的各元素中电负性最大。请回答下列问题：1X、Y的元素符号依次为、；2XZ2与YZ2分子的立体结构分别是____；
f和
，相同条件下两者在水中的溶解度较大的是，它属于第
（写分子式），理由是
；
3Q的元素符号是它的最高化合价为
周期，它的核外电子排布式为
，在形成化合物时。
；4用氢键表示式写出E的氢化物溶液中存在的所有氢键
5下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分别代表一种化学元素。
cho（1）请写出元素O的基态原子电子排布式（2）第三周期8种元素按单质熔点高低的顺序如右图，其中序号“8”代表ij
d
ek
flm
。
（填元素符号）；其中电负性最大的是（填右图中的序号）。
（3）由j原子跟c原子以11相互交替结合而形成的晶体，晶型与晶体j相同。两者相比熔点更高的是（4）kl2的电子式是kl（填化学式）试从结构角度加以解释：，晶体。。
，它在常温下呈液态，形成晶体时，属于
（5）i单质晶体中原子的堆积方式如下图甲所示，其晶胞特征如下图乙所示，原子之间相互位置关系的平面图如下图丙所示。若已知i的原子半径为d，NA代表阿伏加德罗常数，i的相对原子质量为M，请回答：晶胞中i原子的配位数为______原子的数目为__，_，一个晶胞中i
该晶体的密度为_____________用M、NA、d表示
6．【银川一中2009届】元素A～D是元素周期表中短周期的四种元素，请根据表中的信息回答下列问题。元素ABCD单质制成的工业上通过分单质常温、常2价阳离子的物质或结的高压灯，发出离液态空气获得其压下是气体，原子核外电子排布与氖构信的黄光透雾力单质。原子的最外的L层有一个未成原子相同。强、射程远。层未达到稳定结构对的p电子息（1）上表中与A属于同一周期的元素是_____（写元素符号），写出D离子的电子排布式_____（2）D和C形成的化合物属于________晶体。写出C单质与水反r