四川洪芯微科技有限公司
1Aceto
e丙酮
丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过
量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。允许浓度：1000ppm
2ActiveArea主动区域
MOS核心区域，即源，汲，闸极区域
3AEI蚀刻后检查
（1）AEI即AfterEtchi
gI
spectio
，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。
（2）AEI的目的有四：提高产品良率，避免不良品外流。达到品质的一致性和制程的重复性。显示制程能力的指标。防止异常扩大，节省成本
（3）通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。
4）AlCuSi铝硅铜
金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份为05铜，1硅及985铝，一般制程通常是使用99铝1硅．后来为了金属电荷迁移现象Electromigratio
故渗加05铜降低金属电荷迁移
5）Alkali
eIo
s碱金属雕子
如Na，K，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。
6）Alloy合金
半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间i
terface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30mi
，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。
7）Alumi
um铝
一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigratio
，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si
8）A
eal回火
又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。
a激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用。
b消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能
c氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2r