2018华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案
第1章常用半导体器件
当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。
1N型半导体的多数载流子是电子，因此它应。A带负电B带正电C不带电
参考答案：C
2将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将。A变窄B变宽C不变
参考答案：B
3二极管的死区电压随环境温度的升高而。A增大B不变C减小
参考答案：C
4电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui10si
tV时，输出电压最大值
为10V的电路是
。
参考答案：C5电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U110V，ui40si
ωtV则输出电压uO应为。
A最大值为40V，最小值为0VB最大值为40V，最小值为10VC最大值为10V，最小值为－40VD最大值为10V，最小值为0V参考答案：D
6
f稳压管的动态电阻rZ是指
。
A稳定电压与相应电流IZ之比
B稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B7在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是。
APNP管的集电极BPNP管的发射极CNPN管的发射极DNPN管的基极8参考答案：B8已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE17V，VB14V，VC5V，则该管类型为。ANPN型锗管BPNP型锗管CNPN型硅管DPNP型硅管参考答案：A
第2章基本放大电路
当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
1如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流。
A反向B近似等于零C不变D增大参考答案：B2晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为。A发射结反偏，集电结正偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结均正偏D发射结正偏、集电结反偏参考答案：C
3晶体管的电流放大系数是指
。
A工作在饱和区时的电流放大系数
B工作在放大区时的电流放大系数
C工作在截止区时的电流放大系数
参考答案：B
4低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于
。
A
B
fC
参考答案：B
5某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在
。
A截止状态B放大状态C饱和状态
参考答案：B
6某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为
。
AP沟道耗尽型MOS管
BN沟道增强型MOS管
CP沟道增强型MOS管
DN沟道耗尽型MOS管
参考答案：B
7已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压
约
为
。
A0VB＋2VC－2VD－1V
f参考答案：C
8已知某场效应管的漏极特性曲线r