晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程txt两个人同时犯了错，站出来承担的那一方叫宽容，另一方欠下的债，早晚都要还。不爱就不爱别他妈的说我们合不来。A晶圆封装测试工序
一、IC检测
1缺陷检查DefectI
spectio
2DRSEMDefectReviewSca
i
gElectro
Microscopy
用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。
3CDSEMCriticalDime
sioi
Measureme
t
对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。
二、IC封装
1构装（Packagi
g）
IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（diesaw）、黏晶（diemou
tdiebo
d）、焊线（wirebo
d）、封胶（mold）、剪切成形（trimform）、印字（mark）、电镀（plati
g）及检验（i
spectio
）等。
1晶片切割（diesaw）
晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以02微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。
2黏晶（diemou
tdiebo
d）
黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazi
e）内，以送至下一制程进行焊线。
3焊线（wirebo
d）
IC构装制程（Packagi
g）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（I
tegratedCircuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pi
），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
4封胶（mold）
f封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。
5剪切成形（trimform）
剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（deju
k）。成形之目的则是将外引脚r