压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所成。
6印字（mark）及电镀（plati
g）
印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。
7检验（i
spectio
）
晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中项目包括诸如：外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。
8封装
制程处理的最后一道手续，通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路，再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳，并测试集成电路功能是否正常。
2测试制程（I
itialTesta
dFi
alTest）
1芯片测试（wafersort）
2芯片目检（dievisual）
3芯片粘贴测试（dieattach）
4压焊强度测试（leadbo
dstre
gth）
5稳定性烘焙（stabilizatio
bake）
6温度循环测试（temperaturecycle）
7离心测试（co
sta
tacceleratio
）
8渗漏测试（leaktest）
9高低温电测试
10高温老化（bur
i
）
11老化后测试（postbur
i
electricaltest
B半导体制造工艺流程
fNPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片编批清洗水汽氧化一次光刻检查清洗干氧氧化硼注入清洗UDO淀积清洗硼再扩散二次光刻检查单结测试清洗干氧氧化磷注入清洗铝下CVD清洗发射区再扩散三次光刻检查双结测试清洗铝蒸发四次光刻检查氢气合金正向测试清洗铝上CVD检查五次光刻检查氮气烘焙检查中测中测检查粘片减薄减薄后处理检查清洗背面蒸发贴膜划片检查裂片外观检查综合检查入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片编批擦片前处理一次氧化QC检查（tox）一次光刻QC检查前处理基区CSD涂覆CSD预淀积后处理QC检查（R□）前处理基区氧化扩散QC检查（tox、R□）二次光刻QC检查单结测试前处理POCl3预淀积后处理（P液）QC检查前处理发射区氧化QC检查（tox）前处理发射区再扩散（R□）前处理铝下CVDQC检查（tox、R□）前处理HCl氧化前处理氢气处理三次光刻QC检查追扩散双结测r