的工作过
程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，
其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向
加有正电压的P型半导体端，而P
型半导体端内的正电子则朝N型
半导体端运动，从而形成导通电
流。同理，当二极管加上反向电压
（P端接负极，N端接正极）时，
这时在P型半导体端为负电压，正
电子被聚集在P型半导体端，负电
子则聚集在N型半导体端，电子不
移动，其PN结没有电流通过，二
极管截止。
图7a
图7b
对于场效应管（见图7），在
栅极没有电压时，由前面分析可知，
在源极与漏极之间不会有电流流
过，此时场效应管处与截止状态（图
7a）。当有一个正电压加在N沟道
的MOS场效应管栅极上时，由于电
场的作用，此时N型半导体的源极
和漏极的负电子被吸引出来而涌向
图8
栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而
形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压
的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS
场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。
下面简述一下用CMOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的
7
f影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
由以上
分析我们可以
画出原理图中MOS场效应管
图10
电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交
变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的
转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很
大的电流通过，所以该电路的保r