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主电路电气原理图
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主控制板电器原理图：
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逆变触发电路图：
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脉冲及时序板原理图：
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本机采用三相交流380V电压经三相桥式整流、滤波后供给以新型IGBT为功率开关器件的逆变器进行变频（20KC）处理后，由中频变压器降压，再经整流输出可供焊接所需的电源，通过集成电路构成的逻辑控制电路对电压、电流信号的反馈进行处理，实现整机闭环控制，采用脉宽调制PWM为核心的控制技术，从而获得快速脉宽调制的恒流特性和优异的焊接工艺效果。IGBT逆变电焊机工作原理及输出特性
这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。拓普电子
1电路图
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2工作原理这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。方波信号发生器（见图3）
图3这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f122RC。图示电路的最大频率为：fmax122×33×103×22×106626Hz最小频率fmi
122×43×103×22×106480Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。场效应管驱动电路。
图4由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为05V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至012V。如图4所示。
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MOS场效应管电源开关电路。这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。
图5
MOS场效应管也被称为MOSFET，既MetalOxideSemico
ductorFieldEffectTra
sistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管r