dvdt。如果体二极管导通后反向关断，将产生极高的电压变化率dvdt，这可能会造成寄生BJT开启。高dvdt会在器件体区产生高的少数载流子正载流子或者空穴电流密度，体电阻上所积累的电压足以开启寄生BJT。这也是为什么器件会对整流体二极管反向恢复dvdt峰值作限制的原因。由于降低了少数载流子寿命，FREDFET器件整流dvdt峰值要高于MOSFET器件。开关速度由于电容不受温度的影响，因此开关速度和开关损耗也同样不受温度影响。然而，二极管反向恢复电流却随着温度提高而增大，因此，温度效应会对大功率电路中的外部二极管可以是分立二极管和MOSFET或者FREDFET体二极管造成影响，从而影响开关损耗。阈值电压阈值电压，即VGSth，表示晶体管关断时的电压。该参数表示在阈值电压下，漏极电流可以达到多少毫安培，因此，器件工作在开与关的临界状态。阈值电压具有负温度系数，这意味着随着温度升高，阈值电压将降低。负温度系数会影响开关延时时间，因此电桥电路对于死时间有要求。
f图5：传输特性。
传输特性图5为APT50M75B2LLMOSFET的传输特性。传输特性依赖于温度和漏极电流。从中可以发现，100安培以下，栅源电压是负温度系数给定漏极电流，随着温度升高，栅源电压降低。而在100安培以上，温度系数为正。栅源电压温度系数和漏极电流何时从负值变为正值对于线性区操作十分重要。击穿电压击穿电压具有正的温度系数，我们将在后面的章节讨论。短路能力数据表中通常不会列出抗短路能力。这是因为常规功率MOSFET的抗短路能力无法与工作于高电流密度下的IGBT或者其他器件相提并论。这样，我们通常不认为MOSFET和FREDFET具有抗短路的能力。数据表浏览通常使用先进探针技术adva
cedprobetech
ology，ATP获得的测试数据来选择合适的器件并预测器件的性能。通过测试曲线，可以从一组工作状态外推到另一组工作状态。值得注意的是：测试曲线代表的是典型性能，而非最大或者最小的极端情况。测试得到的性能有时也或多或少的依赖于测试电路；采用不同的测试电路，得到的结果会有些许差别。额定最大值VDSSC漏源电压源电压
f在栅源短接，工作温度为25℃时，漏源额定电压VDSS是指漏源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于VBRDSS的详细描述请参见静电学特性。开关速度由于电容不受温度的影响，因此开关速度和开关损耗也同样不受温度影响。然而，二极管反向恢复电流却随着温度提高而增大，因此，温度r