效应会对大功率电路中的外部二极管可以是分立二极管和MOSFET或者FREDFET体二极管造成影响，从而影响开关损耗。阈值电压阈值电压，即VGSth，表示晶体管关断时的电压。该参数表示在阈值电压下，漏极电流可以达到多少毫安培，因此，器件工作在开与关的临界状态。阈值电压具有负温度系数，这意味着随着温度升高，阈值电压将降低。负温度系数会影响开关延时时间，因此电桥电路对于死时间有要求。
图5：传输特性。
传输特性图5为APT50M75B2LLMOSFET的传输特性。传输特性依赖于温度和漏极电流。从中可以发现，100安培以下，栅源电压是负温度系数给定漏极电流，随着温度升高，栅源电压降低。而在100安培以上，温度系数为正。栅源电压温度系数和漏极电流何时从负值变为正值对于线性区操作十分重要。击穿电压击穿电压具有正的温度系数，我们将在后面的章节讨论。短路能力
f数据表中通常不会列出抗短路能力。这是因为常规功率MOSFET的抗短路能力无法与工作于高电流密度下的IGBT或者其他器件相提并论。这样，我们通常不认为MOSFET和FREDFET具有抗短路的能力。数据表浏览通常使用先进探针技术adva
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ology，ATP获得的测试数据来选择合适的器件并预测器件的性能。通过测试曲线，可以从一组工作状态外推到另一组工作状态。值得注意的是：测试曲线代表的是典型性能，而非最大或者最小的极端情况。测试得到的性能有时也或多或少的依赖于测试电路；采用不同的测试电路，得到的结果会有些许差别。额定最大值VDSSC漏源电压源电压在栅源短接，工作温度为25℃时，漏源额定电压VDSS是指漏源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于VBRDSS的详细描述请参见静电学特性。PD总功耗总功耗总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。
式4
线性降低因子与RθJC的倒数成正比。TJTSTG工作温度和存储环境温度的范围工作温度和存储环境温度的范围这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。EAS单脉冲雪崩击穿能量单脉冲雪崩击穿能量如果电压过冲值通常由于漏电流和杂散电感造成未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其r