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ff1.8图P18所示电路中,设ui15si
ωtV,二极管具有理想特性,试分别画出开关S处于A、B、C时,输出电压uo的波形。
f21图P21所示电路中的三极管为硅管,试判断其工作状态。
解:(a)UBE07-0V07V,UBC07V-3V0,故该NPN管发射结正偏,集电结反偏,工作在放大状态。(b)UBE2V-3V0,UBC2V-5V0,故该NPN管发射结与集电结均反偏,工作在截止状态。(c)UBE3V-23V07V,UBC3V-2604V,故该NPN管发射结与集电结均正偏,工作在饱和状态。(d)UBE-27V-(-2V)-07V,UBC-27--5V0,故该PNP管发射结正偏,集电结反偏,工作在放大状态。(e)UBE-37V-(-5V)0,UBC-37V-(-3V)-07V,故该PNP管发射结反偏,集电结正偏,工作在倒置状态。23对图P23所示各三极管,试判别其三个电极,并说明它是NPN管还是PNP管,估算β值。
解:(a)因为iBiCiE,故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。由电流流向可知是
NPN管:(b)①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNP管
27图P27所示三极管放大电路中,电容对交流信号的容抗近似为零,ussi
ωtmV,三极管参数为β80,UBE(ON)07V,rbb′200Ω,试分析:(1)计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ;(2)画出交流通路和小信号等效电路;(3)求uBE、iB、iC、uCE。
f解:(1)计算电路的静态工作点
(2)画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P27(a)、(b)所示(3)动态分析,求交流量ube、ib、ic、uc由于IEQ≈192mA,故可求得
211场效应管的转移特性曲线如图P211所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出UGS(off)、IDSS;对于增强型管求出UGS(th)。
f解:(a)由于uGS可为正、负、零、故为耗尽型MOS管;由于uGS(off)-80,故为N沟道耗尽型MOS管,其电路符号如图解P211(a)所示。由图P211a可得IDSS4mA。
(b)由于uGS≤0,故为N沟道结型场效应管,其电路符号如图解P211(b)所示。由图P211(b)可得UGS(off)-5V,IDSS5mA。(c)由于uGS可为正、负、零,且UGS(off)2V,故为耗尽型PMOS管,电路符号如图解P211(c)所示。由图P211(c)可得UGS(off)2VIDSS2mA(d)由于uGS0,故为增强型NMOS管,电路符号如图解P211(d)所示,由图P211(c)可得UGSth1V。
212场效应管的输出特性曲线如图P212所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出UGS(off)、IDSS;对于增强型管求出UGS(th)。
f解:(a)由于uGS可为正、负、零,UGS(off)-15V,故为耗尽型NMOS管,电
路符号如图解P2r
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