ff1．8图P18所示电路中，设ui15si
ωtV，二极管具有理想特性，试分别画出开关S处于A、B、C时，输出电压uo的波形。
f21图P21所示电路中的三极管为硅管，试判断其工作状态。
解：（a）UBE07－0V07V，UBC07V－3V0，故该NPN管发射结正偏，集电结反偏，工作在放大状态。（b）UBE2V－3V0，UBC2V－5V0，故该NPN管发射结与集电结均反偏，工作在截止状态。（c）UBE3V－23V07V，UBC3V－2604V，故该NPN管发射结与集电结均正偏，工作在饱和状态。（d）UBE－27V－（－2V）－07V，UBC－27－－5V0，故该PNP管发射结正偏，集电结反偏，工作在放大状态。（e）UBE－37V－（－5V）0，UBC－37V－（－3V）－07V，故该PNP管发射结反偏，集电结正偏，工作在倒置状态。23对图P23所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，估算β值。
解：（a）因为iBiCiE，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。由电流流向可知是
NPN管：（b）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNP管
27图P27所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，ussi
ωtmV，三极管参数为β80，UBE（ON）07V，rbb′200Ω，试分析：（1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。
f解：（1）计算电路的静态工作点
（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P27（a）、（b）所示（3）动态分析，求交流量ube、ib、ic、uc由于IEQ≈192mA，故可求得
211场效应管的转移特性曲线如图P211所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。
f解：（a）由于uGS可为正、负、零、故为耗尽型MOS管；由于uGS（off）－80，故为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如图解P211（a）所示。由图P211a可得IDSS4mA。
（b）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P211（b）所示。由图P211（b）可得UGS（off）－5V，IDSS5mA。（c）由于uGS可为正、负、零，且UGS（off）2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解P211（c）所示。由图P211（c）可得UGS（off）2VIDSS2mA（d）由于uGS0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P211（d）所示，由图P211（c）可得UGSth1V。
212场效应管的输出特性曲线如图P212所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。
f解：（a）由于uGS可为正、负、零，UGS（off）－15V，故为耗尽型NMOS管，电
路符号如图解P2r