12（a）所示。由图P212a可得，uGS0V时的漏极饱和电流值为IDSS≈08mA
b由于uGS0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P212（b）所示。由图P212（b）可得UGS（th）2V（C）由于UGS≤0，故为N沟道结型场效应管，电路符号如图解P212（c）所示。由图212c可得UGS（Off）－4V，IDSS4mA
d由于uGS＜0，故为增强型PMOS管，电路符号如解图P212（d）所示。由图212d可得UGS（th）1V。
32放大电路如图P32所示，已知三极管β100，rbb′200Ω，UBEQ07V，试（1）计算静态工作点ICQ、UCＥQ、IBQ；（2）画出H参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增益Aus。
f解：（1）求静态工作点
34放大电路如图P34所示，已知三极管的β100，rbb’200Ω，UBEQ07V，试：（1）求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出H参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增益Aus。
f310共集电极放大电路如图P310所示，已知β100rbb’200Ω，UBEQ07V。试：（1）估算静态工作点ICQ、UCEQ；（2）求Auuoui和输入电阻Ri、输出电阻Ro。解：（1）估算静态工作点由图可得
f331电路如图P331所示，UCES≤2V，试回答下列问题：（1）ui0时，流过RL的电流有多大？（2）R1、R2、V3、V4各起什么作用？（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大振幅为多少？管耗为最大时，求Uim。解：（1）因电路对称，V1与V2的静态电流相等，所以静态（ui0）时，流过RL的电流等于零。
f（2）R1、R2、V3、V4构成功率管V1、V2的正向偏压电路，当二极管V3、V4两端压降合适时，可使V1、V2管有小的正向偏置电压而处于临界导通状态，从而可消除交越失真。（3）为保证输出波形不产生饱和失真，则要求输入信号最大振幅为Uimm≈UommVCC－UCES12－210V管耗最大时，输入电压的振幅为
333电路如图P333所示，为使电路正常工作，试回答下列问题：（1）静态时电容C上的电压是多大？如果偏离此值，应首先调节RP1还是RP2？（2）设RP1R12kΩ，三极管β50，V1、V2管的PCM200mW，若RP2或二极管断开时是否安全？为什么？（3）调节静态工作电流，主要调节RP1还是RP2？（4）设管子饱和压降可以略去，求最大不失真输出功率、电源供给功率、管耗和效率。
解：（1）静态时电容C两端电压应等于电源电压的12，即UC6V。如果偏离此值，应调节RP1。（2）当RP2或二极管断开后，VCC将通过RP1、R给V1、V2发射结提供正向偏置，可写出
V1、V2管所受的集电极功耗为PC1PC2220×6mW1320mW由于PC1PC2》PCM（220mW），因此V1、V2功耗过大损坏。
f（3）欲调节V1、V2管静态工作点电流，则主要应调节RP2。r