1微电子技术发展方向
21世纪初微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流；随着IC设计与工艺水平的不断提高，系统集成芯片将成为发展的重点；并且微电子技术与其他学科的结合将会产生新的技术和新的产业增长点。
11主流工艺硅基CMOS电路
硅半导体集成电路的发展，一方面是硅晶圆片的尺寸愈来愈大，另一方面是光刻加工线条（特征尺寸）愈来愈细。
从硅片尺寸来看，从最初的2英寸，经过3英寸、4英寸、5英寸、6英寸发展到当今主流的8英寸。据有关统计，目前世界上有252条8英寸生产线，月产片总数高达440万片，现在还在继续建线。近几年来又在兴建12英寸生产线，硅晶片直径达12英寸（300mm），它的面积为8英寸片（200mm）的225倍。1999年11月下旬，由Motorola与I
fi
eo
Tech
ologies联合开发的全球首批300mm晶片产品面市。该产品是64MDRAM，采用的是025m工艺技术，为标准的TSOP封装。据介绍，300mm晶片较200mm晶片，每个芯片的成本降低了30～40。到目前，已经达到量产的12英寸生产线已有6条，它们是：
（1）Semico
ductor300公司，位于德国德累斯顿，开始月产1500片，由025m进到018m。
（2）I
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eo
公司，位于德国德累斯顿，014m，开始月产4000片。
（3）TSMC公司，位于我国台湾新竹，Fab12工厂生产线，由018m进到015m以至013m，开始月产4500片。
（4）三星公司，位于韩国，Li
e11生产线，015013m，开始月产1500片。
（5）Trece
ti公司，位于日本那珂N3厂，月产能7000片，015013m。
（6）I
tel公司的D1C厂，开始月产4000片，013m。
此外，已经建厂，开始试投的也已有9条线；正在建的有4条线。
采用12英寸晶片生产的IC产品，据报道已有：韩国三星公司批量生产512M内存（DRAM）；美国Altera公司在台湾TSMC公司加工生产可编程逻辑器件（PLD），采用018m技术；美国I
tel公司在2001年3月份宣布，在当年采用013m技术建12英寸生产线量产CPU。其余各线主要做存储器电路DRAM、SRAM或Flash。
f在光刻加工线条（特征尺寸）方面，如前所述，在主流025m技术之后，已有018m、015m以至013m技术连续开发出来并投入使用。
据报道，韩国现代电子公司在2001年底前，将其下属的4家工厂的工艺技术由018m提升至015m，生产存储芯片。其竞争对手三星电子公司和美光科技公司目前已经有半数芯片采用015m技术。
台湾威盛率先在2001年采用013m工艺生产微处理器产品，但其C3系列仍属于PⅢ产品。I
tel和AMD公司市面上产品普遍仍采用018m的r