技术，但I
tel在2002年1月7日发布了采用013m工艺生产出运算频率突破2GHz的Northwood核心P4处理器产品，4月又公布了24GHz产品。这样，I
tel仍然稳坐技术领先的地位。
在日本，NEC和日立合作于2000年8月率先推出全球第一块采用013m的256MDRAM。2001年日本东芝和富士通与台湾华邦合作，推出013m堆叠式1GDRAM，2002年计划提升到011m。日本五大半导体厂商正在联合开发01m以下工艺制造技术。
2001年8月，美国应用材料公司的设备已可制造出技术水平为010m（100
m）的电路，在制造工艺技术上也有新的突破。美国德州仪器公司正采用010m技术制造模拟和数字电路。
总之，010m（100
m）乃至004m（40
m）的器件已在实验室中制造成功，研究工作已进入亚010m阶段。
美国I
tel公司将加速新一代009m（90
m）处理器技术的开发工作，计划在2003年上半年发布其009m处理技术，该处理技术基于铜互连、低K介质和其他的一些性能上。而且该公司又开发成功一种新型晶体管技术，将使CPU集成度达到目前的25倍，可集成10亿只晶体管，将使运行速度达到目前的10倍，工作频率达到20GHz。这种CMOS晶体管结构称为DepletedSubstrateTra
sistor，采用的栅极长度为15
m，其栅极绝缘膜采用了高介电常数的新型材料，将通常的SiO2换为ZrO2或Ae2O3等新材料，通过在绝缘层上的超薄硅层内制作晶体管来提高开关速度，称它为I
telTeraHertz晶体管，计划于2006～2010年投产的CPU中使用。据称I
tel的这项技术具有“革命性意义”。在提高晶体管响应速度和降低耗电量及发热量方面，它的开发成功将再次打破阻碍摩尔法则继续存在的瓶颈。
12SOC技术系统集成芯片
早在10年前，半导体厂商就开始探讨系统集成芯片（SOC）技术，英文为Systemo
Chip，多数SOC产品可以采用纯CMOS工艺制造，但是真正的SOC能力要求面向系统的技术，不仅要整合CMOS、双极器件、非挥发性存储器、电源（动态绝缘栅型场效应管）等基本功能技术，而且系统本身还应融合两种以上的基本功能技术。美国Luce
t公司微电子部对SOC定义为如下的半导体器件或产
f品：它在单个硅片或套片上捕捉或实现系统级的知识和专门技术。单个芯片具有如下的功能：
⑴数字信息，微处理器和微控制器核心；
⑵数字逻辑（包含知识产权核心和定制逻辑）；
⑶精度模拟电路；
⑷相关的存储器（如SRAM或Flash块）；
⑸原型动力（可编程核心）。
SOC是IC设计能力第四次阶跃，把已有优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中，实现系统芯片集成，r