的铅盒的开口，表明形成第2号痕迹的射线做匀速直线运动，即不受电场力作用，所以不带电，故第2号痕迹是γ射线照射形成
f的。……………………………………（4分）②α射线的粒子从放射源出来经过水平匀强电场打到底片上的过程中，受恒定的电场力作用，且水平的电场力与竖直的初速度方向垂直，故应做匀变速曲线运动。…………（3分）（说明：回答“类平抛运动”，或“竖直方向做匀速直线运动，水平方向做初速度为零的匀加速直线运动”均可得分）设铅盒与底片间的竖直距离为d，电场强度为E，带电射线从放射源射出时的初速度为v0，质量为m，所带电荷量为q，在电场中运动时间为t，则对于粒子在电场中的运动有竖直方向dv0t，水平方向的侧移量x
1qE2t……………………………………（2分）2m
解得：x
qEd2………………………（1分）22mv0
因此对于α射线和β射线的侧移量之比有
xαqαmβvβ215…………………………（2分）1×v14×1840×01184xβqβmαα
表明α射线的偏转侧移量较小，所以第3号痕迹应是α射线所形成的。分）（1说明：若没有进行定量计算，只是说明xαxβ，此问要扣2分）24．（20分）（1）由vt图象可知，在0～04s时间内线框做匀加速直线运动，进入磁场时的速度为v120ms，所以在此过程中的加速度a
2
2
由牛顿第二定律Fmgsi
θmgcosθma………………（2分）解得F15N…………………………………………………………（1分）（2）由vt图象可知，线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动，产生的感应电动势EBLv1……………………………………………………（1分）通过线框的电流I
v50ms2………………（1分）t
EBLv1…………………………（1分）RRB2L2v1……………………（1分）R
线框所受安培力
F安BIL
对于线框匀速运动的过程，由力的平衡条件，有Fmgsi
θmgcosθ
B2L2v1…（2分）R
解得B050T……………………………………………………（1分）（3）由vt图象可知，线框进入磁场区域后做匀速直线运动，并以速度v1匀速穿出磁场，说明线框的宽度等于磁场的宽度D040m……………………………………………（1分）线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动，到达档板时的位移为sD015m……（1分）
f设线框与挡板碰撞前的速度为v2由动能定理，有mgsDsi
θmgsDcosθ
2
1122mv2mv1………………（1分）22
解得v2v12gsDsi
θr