311603006
本实验所需磁场为03T，故电磁铁恒流电源输出须保持在116mA附近。2、变温霍尔效应样品号：S1样品名称：碲镉汞样品厚度（t）：094mm磁场强度（B）：03T流强度（I）：5002mA
电
VHmv
T℃
VHB样品对NII
110122
RH
VMmV
VNmV
B样品对SI
255257
mV
ρΩm
I
1811770722506650004510004151
I
13491343
I
12621250
I
14411440
I
145414551172911690
850898
037046
f10061100120013201404145014901601168718041905200521052204230024022498260528052998
057077097124144168170212237284323354392409437454461465432393
137156177207228247256294322366399425450461481491480476434388
256257259250243238230208175117068009075157204254305333372367
180180176172165162152123104054009051121184230271309333365362
0605005100040250227500900003750110004375070001197516125205252595030275338003675038875401754007537750
003776003183002512001420000562000234100068660027307004369200747440100647012811101619720188967021096902293820242646025076002501360235624
1240122011901170117011791170118011601168112411341087110010401032966942837757
1139110110751063103910631030103610101042100710389951027973997931940832760
13461310130012901288128412901280128012801267124012071167114710871051987887761
13631337132013211319132713301330131513161304128512431190116011021045992877772
1083810583104061031910259103381026810280101501023810016100060965409552092020898508506082250731306497
相关公式：VH
VH1VH2VH3VH44
RH
VHtIB
f≈1
五、结论和主要建议：结论和主要建议：利用Excel做L
RH1T曲线及ρ1T曲线如下图所示：
012l
Rh345671T℃系列1000050010015
由左图1可看出，霍尔系数随温度的变化。温度较低时，处于杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。P型半导体中p
，在这段区域内，RH0。温度逐渐升高时，价带上的电子开始
f图1L
RH1T曲线
2激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，b1当温度升高到使p
b时，RH0，
如果取对数，就出现图中的拐点。温度再升高时，价带上的电子开始激发到导带，p
b使
2
RH0，随后RH将会达到一个极值。
由表中数据霍尔系数由负的变为正的，可看出半导r