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晶体管的集电极接入系数,即
P1N1N2
(427)
式(427)中,N2为电感L线圈的总匝数。P2为输出变压器T的副边与原边的匝数比,即
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f实验42
高频小信号调谐放大器
P2N3N2
(428)
式(428)中,N3为副边(次级)的总匝数。gL为调谐放大器输出负载的电导,gL1RL。通常小信号调谐放大器的下一级仍为晶体管调谐放大器,则gL将是下一级晶体管的输入导纳gie2。由图422可见,并联谐振回路的总电导g
g
22p12goep2giejwc
的表达式为


1GjwL
2p12goep2gLjwc
1GjwL
(429)
式(429)中,G为LC回路本身的损耗电导。谐振时L和C的并联回路呈纯阻,其阻值等于1G,当并联谐振电抗为无限大时,jwC与1(jwL)的影响可以忽略。2、调谐放大器的性能指标及测量方法表征高频小信号调谐放大器的主要性能指标有谐振频率f0,谐振电压放大倍数Av0,放大器的通频带BW及选择性(通常用矩形系数Kr01来表示)等。放大器各项性能指标及测量方法如下:(1)谐振频率放大器的调谐回路谐振时所对应的频率f0称为放大器的谐振频率,如图421所示电路(以下各项指标所对应电路)f0的表达式为
f012πLC∑
(4210)
式(4210)中,L为调谐回路电感线圈的电感量,C∑为调谐回路的总电容,C∑的表达式为
C∑CP12CoeP22Cie
(4211)
式(4211)中,Coe为晶体管的输出电容;Cie为晶体管的输入电容。谐振频率f0的测量方法:用扫频仪作为测量电路的幅频特性曲线,调变压器T的磁芯,使电压谐振曲线的峰值出现在规定的谐振频率点f0。(2)电压放大倍数放大器的谐振回路谐振时,所对应的电压放大倍数AV0称为调谐放大器的电压放大倍数。AV0的表达式为
AV0p1p2yfeu0p1p2yfe22uig∑p1goep2gieG
(4212)
式(4212)中,gΣ为谐振回路谐振时的总电导,当LC并联回路在谐振点时,L
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f第4章
高频电子线路实验
和C的并联电抗为无限大,因此可以忽略其电导。但yfe是一个复数,在谐振时输出电压UO与输入电压UI相位差为(180oΦfe)。AV0的测量方法:在谐振回路已处于谐振状态时,用高频电压表测量图421中RL两端的电压u0及输入信号ui的大小。计算电压放大倍数AV0AV0UOUI或AV020lgUOUIdB(3)通频带BW由于谐振回路的选频作用,当工作频率偏离谐振频率时,放大器的电压放大倍数下降,习惯上称电压放大倍数AV下降到谐振电压放大倍数AV0的0707倍时所对应的频率偏移称为放大器的通频带BW,其表达式为BW2△f07fOr
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