实验42
高频小信号调谐放大器
实验42高频小信号调谐放大器
一、实验目的
（1）掌握高频小信号调谐放大器基本单元电路的工作原理，进行性能分析。（2）熟悉当谐振放大器处于谐振时，谐振回路的调试和各项技术指标的测试（电压放大倍数、通频带、矩形系数）。（3）学会高频小信号调谐放大器的设计方法。
二、实验设备及材料
实验箱及实验箱配置的低频信号源、高频信号源，双踪示波器（MOS620640型），MAG450（100kHz150MHz）射频信号发生器，交流毫伏表，数字万用表，调试工具。
三、实验原理
高频小信号调谐放大器原理图如图421所示。电路为共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。它不仅要放大高频信号，而且还要有一定的选频作用。因此，晶体管的集电极负载为LC并联谐振回路。在高频情况下，晶体管本身的极间电容及连接导线的分布参数，会影响放大器输出信号的频率和相位。晶体管的静态工作点由电阻RB1、RB2及RE决定，计算方法与低频单管放大器相同。
图421
高频小信号调谐放大器原理图
1、晶体管高频小信号调谐放大器参数晶体管高频小信号调谐放大器在高频情况下的等效电路如图422所示，4个y参数yie，yoe，yfe及yre分别为输入导纳：
yie≈1rbbgbejwcbegbejwcbe
，
（421）
输出导纳：
yoe≈
1rbbgbejwc
154
gmrbbjwc
be
be


jwc
be
，
（422）
f第4章
高频电子线路实验
正向传输导纳：
y
fe
≈
1rbbgbejwc
jwc
gm
be


，
，
（423）
反向传输导纳：
yre≈
1rbbgbejwc

bebe

（424）
图422放大器的高频等效回路
式（421）至（424）中，gm晶体管的跨导，与发射极电流的关系式为：
gm
IEmΑ
26
S
（425）
gb’e发射结电导，与晶体管的电流放大系数β及IE有关，关系式为
g
be

1r
be

IEmΑ
26β
S
，
（426）
rb’b基极体电阻，一般为几十欧姆；Cb’c集电极电容，一般为几皮法；Cb’e发射结电容，一般为几十皮法至几百皮法。
晶体管在高频情况下的分布参数，除了与静态工作电流IE、电流放大系数β有关外，还与工作频率ω有关。晶体管手册中给出的分布参数，一般是在测试条件一定的情况下测得的。如在f030MHz，IE2mA，UCE8V条件下测得3DG6C的y参数为：
gie
12msrie
Cie12pF
yfe40ms
goe
1250msroe
Coe4pF
yre350us
如果工作条件发生变化，上述参数有所变动。因此，高频电路设计一般采用工程估算的方法。如图422所示的等效电路中，P1为r