射频反应磁控溅射，采用YBaCuO超导材料靶的直流或射频磁控溅射等。但一方面，此法需要昂贵设备且带有高真空系统，不适于通常的大规模生产另一方面，PVD膜一般都要在850℃以上进行后续性处理才能获得高温超导电性。这种热处理不仅使得薄膜表面粗糙不平不利于制作器件，而且也限制了衬底材料的选择范围，不利用于微电子领域。探索低温集成电路工艺要求450℃以下淀积成膜是一个努力的方向。
fPVD法简介：物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。
真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子束、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。
溅射镀膜基本原理是充氩Ar气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩Ar原子电离成氩离子Ar，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流QC溅射，射频RF辉光放电引起的称射频溅射。磁控M辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁阳极和镀材阴极之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。
离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。
物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：1镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。2镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。3镀料原子、分子或离子在基体上沉积。2CVD法
从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜Si3N4就是一个很好的例子，它是r