，外加电场与内场方向相同，因而加强了内电场的作用，使阻挡层变厚。这样，只有极少数载流子能够通过p
结，形成很小的反向电流。所以p
结的反向电阻很大。
晶体二极管的正、反向特性曲线如图124所示。从图上看出，电流和电压不是线性关系，各点的电阻都不相同。凡具有这种性质的电阻，就称为非线性电阻。
图4晶体二极管的伏安特性
图5测电阻伏安特性的电路
二、实验仪器
直流稳压电源，万用表（2台），电阻，白炽灯泡，灯座，短接桥和连接导线，实验用九孔插件方板。
f三、实验步骤
一测绘金属膜电阻的伏安特性曲线
1按图5接好线路，图中RRARA毫安表的内阻。注意将分压器的滑动端调至电
压为零的位置；电表的量限要选择得适当。2经教师检查线路后，接通电源，调节滑线变阻器的滑动头，从零开始逐步增大电压例
加取000V，050V，100V，150V，…，读出相应的电流值。
3将电压调为零，改变加在电阻上的电压方向可将电阻R调转180°连接，取电压为
000V，050V，100V，150V，…，读出相应的电流值。4将测量的正、反向电压和相应的电流值填入预先自拟的表格。以电压为横坐标，电流
为纵坐标，绘出金属膜电阻的伏安特性曲线。二测绘晶体二极管的伏安特性曲线
测量之前，先记录所用晶体管的型号为测出反向电流的数值，采用锗管和主要参数即最大正向电流和最大反向电压，再判别晶体管的正、负极。
1为了测得晶体二极管的正向特性曲线，可按照图6所示的电路联线。图中R为保护晶体二极管的限流电阻，电压表的量限取1伏左右。经教师检查线路后，接通电源，缓慢地增加电压，例如，取000V，010V，020V，…在电流变化大的地方，电压间隔应取小一些，读出相应的电流值。最后断开电源。
f图6测晶体二极管正向伏安特性的电路图7测晶体二极管反向伏安特性的电路
2为了测得反向特性曲线，可按图7联接电路。将电流表换成微安表，电压表换接比1伏大的量限，接上电源，逐步改变电压，例如，取000V，100V，200V，…，读出相应的电流值。确认数据无错误和遗漏后，断开电源，拆除线路。
3以电压为横轴，电流为纵轴，利用测得的正、反向电压和电流的数据，绘出晶体二极管的伏安特性曲线。由于正向电流读数为毫安，反向电流读数为微安，纵轴上半段和下半段坐标纸上每小格代表的电流值可以不同，但必须分别标注清楚。
四、注意事项
1测晶体二极管正向伏安特性时，毫安表读数不得超过二极管允许通过的最大正向电流值。2测晶体二极管反向伏安特性时，加r