：年峰值日照时数辐射量（MJm）36换算系数，所以辐射量366x365x3647304MJm，属于上述四类地区（现三类地区），春夏多阴雨，秋冬季太阳能资源还可以，另四类地区（现三类地区）国家补助最高，每度电上网电价1元。
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f方案建议书
四项目技术分析41组件选型序号1比较项目多晶硅单晶硅非晶硅薄膜技术成熟目前常用的商业化单晶70年代末发展起步较多晶硅、单是铸锭多晶硅电池经50研制成功，晚，技术成熟晶硅技术性硅技术，70商业用电池光电转换年代末研制片一般效率成功。12～16材料制造简数倍聚光比较结果
多年的发经过30多性相对不高。都比较成商业用电商业用电单晶硅最展，技术已年的发展，能实现2倍熟，产品性2池片一般池一般高、多晶硅以上聚光。达成熟阶技术日趋能稳定。13～18。5～9。其次、非晶段。成熟。需要配套复非晶硅薄材料价格及生产工艺硅薄膜最节约电繁琐的电池相对简单，杂的机械跟膜价格低3价格便，低，数倍耗，总的生产制造工艺，使用原材踪设备、光于比多聚光型较冷却晶多晶对光照、温成本比单晶输出功率与使单晶硅成料少，总的弱光响应学仪器、为保证聚光晶体硅电难相互比硅低本价格居高生产成本倍数，设施等，未4度等外部光照强度成同左好，充电效对光照硅价格低池输出功较。较低。追踪精度要实现批量率与光于单晶硅环境适应正比，在高不下。率高。高温照5组件故障率组件运行性温条件下效维护极低，自身免率发挥不充同左化生产，总柔性组件求高，机械跟踪设晶体硅电性能好，受聚光后便宜，数倍强度成正的生产成本聚光没有表面较易备、光学仪比，比较适池组件运温度的影组件温升大，较高。比性。积灰，且器、冷却设施可行维护最衰减较快，响比晶体机械跟踪设影响输出效合光照强晶体硅电难于清理。需要定期维为简单。硅太阳能备、光学仪使用寿命率和使用寿池组件使度高的沙护。电池只有要器、冷却等设命。用寿命漠地区。最
9
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维护分组件使用经实践证明寿命寿命期长，可保证25年使用期
同左
1015小。年。施使用期限较难保证
长。
f方案建议书
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外观
不规则深蓝黑色、蓝黑色，可作表面倾斜或平铺弱光着色处色
深蓝色。

多晶硅外观效果好，
柔性组件带机械跟踪利于在建筑物建筑同左重量轻，对设备，对基础上使用非立面色彩屋顶强度抗风强度要晶硅薄膜丰r