共有电子就可以来填补，这种填补可一个空穴。相反由于自由电子增多，还增加了空穴被复合的机会，所以使空穴数量反而减少。因此，
以认为是空穴携带正电荷在移动。在外电场的作用之下，本征半导体中的自由电子和空穴都可以携N型半导体中自由电子占绝大多数，
为其多数载流子，
则为少数载流子。N型
带电荷作定向移动，即形成电子电流和空穴电流。流过半导体的总电流即为这两种电流之和。因为半导体主要靠带负电的电子进行导电。
自由电子和空穴都能运载电流，所以把它们统称为
。空穴可看成带正电的载流子。
本征半导体在常温下激发出的电子空穴对是很少的，所以它的导电能力相当弱。常温下，本
征半导体所能提供的载流子数目很少，如何提高它们的导电性能呢？
5．P型半导体positive表示正的意思
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可以使半导体的导电性能大大提高。掺入杂质的
在本征半导体中掺进微量的三价元素，如硼，就构成了
半导体。硼原子最外层有3
本征半导体称为杂质半导体。在杂质半导体中，因掺入元素的不同，可分为两大类即电子半导体N个价电子，掺入后，晶体点阵中某些位置为硼原子所取代，它以3个价电子与周围3个硅原子组成
型半导体和空穴半导体P型半导体。
3个完整的共价键，还有1个共价键缺少1个价电子，因而在1个共价键上要出现1个空位，即空
4N型半导体Negative表示负的意思
穴，如图715所示。在P型半导体中，空穴数远大于自由电子数。在这种半导体中，以空穴导电
在本征半导体硅或锗的晶体内掺入微量的
价元素杂质，如磷，锑等，就形成了N为主，故
为多数载流子，而
为少数载流子。
型半导体。由于所掺杂质其数量甚微，整体晶体结构基本不变。但晶体点阵中某些位置的硅原子将
被磷原子所取代。磷原子最外层有5个价电子，它以4个价电子与相邻硅原子组成共价键后，还多
余1个价电子。这个价电子不受共价键的束缚，通常在常温下即可脱离磷原子而成为自由电子，如
图714所示。能给出多余价电子的杂质称为施主杂质。
磷原子由于丢失1个价电子而成为带正电的磷离子，叫施主离子。正离子数目与电子数目相等，
N型半导体仍然是
的。磷离子不能移动，不能参与导电。掺入1个磷原子则得到1个正离
子和自由电子。由此可见，N型半导体中自由电子数目可以人为控制，掺入微量磷元素就可以使半
导体的自由电子数猛增，但却不增加空穴数量。这点与本征半导体产生电子不同，有1个电子必有
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f§21半导r