低8位）和P2口（高8位）同时输出，ALE信号有效时由
地址锁存器锁存低8位地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外ROM16
位地址输入端，当PSEN信号有效时，外ROM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入后存入
指定单元。
地址范围：0000H～FFFFH
共64KB。
读写外RAM用MOVX指令，
控制信号是P3口中的RD和WR。
读外RAM的过程：
外RAM16位地址分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位地
址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外RAM16位地址输入端，当RD
信号有效时，外RAM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入后存入指定单元。
写外RAM的过程：
写外RAM的过程与读外RAM的过程相同。只是控制
信号不同，信号换成WR信号。当WR信号有效时，
外RAM将数据总线（P0口分时传送）上的数据写入相
应地址存储单元中。
从广义上讲，80C51内RAM（128B）和特殊功能寄存器（128B）均属于片内RAM空间，读写指令均用MOV指令。
但为加以区别，内RAM通常指00H～7FH的低128B空间。
80C51内RAM又可分成三个物理空间：工作寄存器区、位寻址区和数据缓冲区。
地址区域
功能名称
00H～07H
00H
～
08H～0FH
1FH
10H～17H
工作寄存器0区工作寄存器1区工作寄存器2区
18H～1FH
工作寄存器3区
20H～2FH
位寻址区
30H～7FH
数据缓冲区
⒈工作寄存器区作用：有专用于工作寄存器操作的指令，读写速度比一般内RAM要快，指令字节比一般直接寻址指令要短，还具有间址功能，能给编程和应用带来方便。工作寄存器区分为4个区：0区、1区、2区、3区。每区有8个寄存器：R0～R7，寄存器名称相同。但是，当前工作的寄存器区只能有一个，由PSW中的D4、D3位决定。⒉位寻址区
⑴地址从20H～2FH共16字节（Byte，缩写为英文大写字母B）。每B有8位（bit，缩写为小写b），共128位，每一位
均有一个位地址，可位寻址、位操作。即按位地址对该位进行置1、清0、求反或判转。
f⑵用途：存放各种标志位信息和位数据。
⑶注意事项位地址与字节地址编址相同，容易混淆。区分方法位操作指令中的地址是位地址字节操作指令中的地址是字节地址。
位寻址区的位地址映象表
字节位地址
地址D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
2FH7FH7EH7DH7CH7BH7AH79H78H
2EH77H76H75H74H73H72H71H70H
2DH6FH6EH6DH6CH6BH6AH69H68H
2CH67H66H65H64H63H62H61H60H
2BH5FH5EH5DH5r