绍这种控制方法。所为调制法，就是把希望输出的波形作为调制信号ut，把接收调制的信号作为载波uc，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。本次课程设计任务要求设计三相电压源型SPWM逆变电路，输出PWM电压波形等效为正弦波，因而信号波采用正弦波，载波采用最常用的等腰三角形。单相桥式电路既可以采取单极性调制，也可以采用双极性调制，而三相桥式PWMu逆变电路，一般采用双极性控制方式。所为单极性控制方式，就是在信号波t的半个u周期内三角波载波c只在正极性或负极性一种极性范围内变化，所得到的PWM波形也只在单个极性范围变化的控制方式，和单极性PWM控制方式相对应的是双极性控制方式。采用双极性方式时，在ut的半个周期内，三角波载波不再是单极性的，而是有正
有负，所得到的PWM波也是有正有负。在ut的一个周期内，输出的PWM波只有±Ud两种电平，而不像单极性控制时还有零电平。仍然在调制信号ut和载波信号uc的交点时刻控制各开关器件的通断。在ut的正负半周，对各个开关器件的控制规律相同。14IGBT简介绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。IGBT的结构剖面图如图14所示。它在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N基板（漏极）上增加了一个P基板（IGBT的集电极），形成PN结j1，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET相似。
f图14IGBT结构剖面图
由图可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR，其简化等效电路如图3所示。IGBT是以GTR为主导件、MOSFET为驱动件的复合结构。IGBT的特性和参数特点可以总结为：1）IGBT开关速度高，开关损耗小；2）在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力；3）IGBT的通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域；4与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时可以保持开关频率高。
f三、项目设计方案论证可行性方案、最佳方案、软件程序、硬件电路
原理图和PCB图
21可行性方案方案一：选用SG3524集成PWM控制器为控制核心，用ICL8038函数发生器产生正弦调制波，在与SG3524中的载波比较后输出一系列周期性变化的等幅不等宽脉冲，由于SG3524产生的SPWM信号不能直接驱动IGBT，故逆变桥的驱动采用专用芯片IR2110控制IGBT功率开关管的r