否损坏。
（5）真空度太差，检查腔体真空度是否正常。辉光不稳
（1）电源电流不稳，测量电源供电是否稳定。（2）真空室压力不稳定，检查腔体真空系统漏率是否正常，检查腔体进气量是否正常。
（3）电缆故障，检查电缆接触是否良好。更多防水请访问纳米防水网成膜质量差
f（1）样片表面清洁度差，检查样品表面是否清洁。（2）工艺腔体清洁度差，清洗工艺腔体。（3）样品温度异常，检查温控系统是否正常，校准测温热电偶。（4）膜淀积过程中压力异常，检查腔体真空系统漏率。（5）射频功率设置不合理，检查射频电源，调整设置功率。淀积速率低更多防水请访问纳米防水网（1）射频输入功率不合适，调整射频功率。（2）样品温度异常，检查冷却水流量及温度是否正常。（3）真空腔体压力低，调整工艺气体流量。反应腔体压力不稳定（1）检查设备真空系统的波纹管是否有裂纹。（2）检查气体流量计是否正常。（3）手动检查蝶阀开关是否正常。（4）真空泵异常，用真空计测量真空泵的抽速是否正常。影响工艺的因素影响PECVD工艺质量的因素主要有以下几个方面：极板间距和反应室尺寸PECVD腔体极板间距的选择要考虑两个因素：（1）起辉电压：间距的选择应使起辉电压尽量低，以降低等离子电位，减少对衬底的损伤。更多防水请访问纳米防水网
f（2）极板间距和腔体气压：极板间距较大时，对衬底的损伤较小，但间距不宜过大，否则会加重电场的边缘效应，影响淀积的均匀性。反应腔体的尺寸可以增加生产率，但是也会对厚度的均匀性产生影响。
射频电源的工作频率
射频PECVD通常采用50kHz频段射频电源，频率高，等离子体中离子的轰击作用强，淀积的薄膜更加致密，但对衬底的损伤也比较大。高频淀积的薄膜，其均匀性明显好于低频，这时因为当射频电源频率较低时，靠近极板边缘的电场较弱，其淀积速度会低于极板中心区域，而频率高时则边缘和中心区域的差别会变小。
射频功率
射频的功率越大离子的轰击能量就越大，有利于淀积膜质量的改善。因为功率的增加会增强气体中自由基的浓度，使淀积速率随功率直线上升，当功率增加到一定程度，反应气体完全电离，自由基达到饱和，淀积速率则趋于稳定。
气压
形成等离子体时，气体压力过大，单位内的反应气体增加，因此速率增大，但同时气压过高，平均自由程减少，不利于淀积膜对台阶的覆盖。气压太低会影响薄膜的淀积机理，导致薄膜的致密度下降，容易形成针状态缺陷；气压过高时，等离子体的聚合反应明显增强，导致生长r