半导体三极管及其放大电路一、选择题1晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：c2当晶体管工作于饱和状态时，其_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：a3对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a01Vb05Vc07V答案：b4锗晶体管的导通压降约UBE为_________a01Vb03Vc05V答案：b5测得晶体管三个电极的静态电流分别为006mA366mA和36mA。则该管的β为_____a40b50c60答案：c6反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案：a7与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案：a8温度升高，晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案：a9温度升高，晶体管的管压降UBE_________a升高b降低c不变答案：b10对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。a发射极b基极c集电极答案：c11温度升高，晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案：b12温度升高，晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案：a12温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案：c12晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案：a15当晶体管的集电极电流IcmIc时，下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PCPCMc晶体管的β一定减小答案：c
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f16对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案：b17测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、8V、22V，则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案：b18测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、22V，则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真a饱和b截止c饱和和截止答案：a21引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案：c23利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案：c25既能放大电压，也能放大电流的是_________r