第1章常用半导体器件自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。√2因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。×3PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。√4处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。×5结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保
证其RGS大的特点。√6若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。×
二、选择正确答案填入空内。lPN结加正向电压时，空间电荷区将A。A变窄B基本不变C变宽2稳压管的稳压区是其工作在C。A正向导通B反向截止C反向击穿3当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏4UGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管
三、写出图Tl3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD07V。
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f图T13解：UO113VUO20VUO313VUO42VUO513VUO62V。四、已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmi
5mA。求图Tl4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
a
b
图T14
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO16V。右图中稳压管没有击穿，故UO25V。
五、电路如图T15所示，VCC15V，试问：
1Rb50k时，Uo2若T临界饱和，则Rb
100，UBE07V。
解：1IB
VBBUBERb
26A，
ICIB26mA
UOVCCICRc2V。
图T15
2∵ICS
VCCUBERc
286mA，
IBSICS286A
∴Rb
VBBUBEIBS
455k
六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表Tl6所示，它们的开启电
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f压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
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f表T16
管号
UGSthV
USV
UGV
UDV
工作状态
T1
4
5
1
3
恒流区
T2
4
3
3
10
截止区
T3
4
6
0
5
可变电阻区
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示
各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl6最后一栏所示。
习题
11选择合适答案填入空内。
l在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体，加入C元素可形成P型半
导体。
A五价
B四价
C三价
2当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。
A增大
B不变r