联而成因而其结
面积是T4的
倍。T3和T4的发射结电压U
BE3和U
BE4
经反极性串联后加在电阻R上所
以R上端电压为ΔU
BE
。因此电流I1为
I1ΔU
BE
RKTql
R
对于AD590
8这样电路的总电流将与热力学温度T成正比将此电流引至负载电阻R
L
上便可得到与T成正比的输出电压。由于利用了恒流特性所以输出信号不受电源电压和导线电阻的影响。图3中的电阻R是在硅板上形成的薄膜电阻该电阻已用激光修正了其电阻值因而在基准温度下可得到1μAK的I值。
图34AD590内部电路
图34所示是AD590的内部电路图中的T1T4相当于图33中的T1、T2而T9T11相当于图33中的T3、T4。R5、R6是薄膜工艺制成的低温度系数电阻供出厂前调整之用。T7、T8T10为对称的Wilso
电路用来提高阻抗。T5、T12和T10为启动电路其中T5为恒定偏置二极管。
T6可用来防止电源反接时损坏电路同时也可使左右两支路对称。R1R2为发射极反馈电阻可用于进一步提高阻抗。T1T4是为热效应而设计的连接防式。而C1和R4则可用来防止寄生振荡。该电路的设计使得T9T10T11三者的发射极电流相等并同为整个电路总电流I的13。T9和T11的发射结面积比为81T10和T11的发射结面积相等。
T9和T11的发射结电压互相反极性串联后加在电阻R5和R6上因此可以写出
ΔU
BER
6
2R
5
I3
fR6上只有T9的发射极电流而R5上除了来自T10的发射极电流外还有来自T11的发射极电流所以R5上的压降是R5的23。
根据上式不难看出要想改变ΔU
BE
可以在调整R5后再调整R6而增大R5的效
果和减小R6是一样的其结果都会使ΔU
BE减小不过改变R5对ΔU
BE
的影响更为显
著因为它前面的系数较大。实际上就是利用激光修正R5以进行粗调修正R6以实现细调最终使其在250℃之下使总电流I达到1μAK。
二、基本应用电路
图38是AD590用于测量热力学温度的基本应用电路。因为流过AD590的电流与
热力学温度成正比当电阻R
1和电位器R
2
的电阻之和为1kΩ时输出电压V
随温度的
变化为1mVK。但由于AD590的增益有偏差电阻也有偏差因此应对电路进行调整
调整的方法为把AD590放于冰水混合物中调整电位器R
2使V
2732252982mV。
但这样调整只保证在0℃或25℃附近有较高的精度。
图35AD590应用电路
三、摄氏温度测量电路
如图35所示电位器R
2用于调整零点R
4
用于调整运放LF355的增益。调整方
法如下在0℃时调整R
2使输出V
0然后在100℃时调整R
4
使V
100mV。如此反复
调整多次直至0℃时V
00mV100℃时V
100mV为止。最后在室温下进行校验。例
如若室温为25℃那么V
应为25mV。冰水混合物是0℃环境沸水为100℃环境。
四、多路检测信号的实现
本设计系统为八路的温r