如图316
Vcc电源电压
GND地
P0口P0口是一组8位漏极开路型双向IO口也即地址数据总线复用。作为输出口用时每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路对端口写“1”可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时这组口线分时转换地址低8位和数据总线复用在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash编程时P0口接受指令字节而在程序校验时输出指令字节校验时要求外接上拉电阻。
f图316AT89C51引脚图
P1口P1是一个带内部上拉电阻的8位双向IO口P1的输出缓冲级可驱动吸收或输出电流4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平此时可作输入口。作为输入口使用时因为内部存在上拉电阻某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流IIL。Flash编程和程序校验期间P1接受低8位地址。
P2口P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向IO口P2的输出缓冲级可驱动吸收或输出电流4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平此时可作输入口。作为输入口使用时因为内部存在上拉电阻某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流IIL。在访问外部程序存储器或16位四肢的外部数据存储器例如执行MOVXDPTR指令时P2口送出高8位地址数据在访问8位地址的外部数据存储器例如执行MOVXRI指令时P2口线上的内容也即特殊功能寄存器SFR区中R2寄存器的内容在整个访问期间不改变。Flash编程和程序校验时P2也接收高位地址和其他控制信号。
P3口P3是一个带有内部上拉电阻的8位双向IO口P3的输出缓冲级可驱动吸收或输出电流4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平此时可作输入口。作为输入口使用时因为内部存在上拉电阻某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流IIL。P3口还接收一些用于Flash闪速
f存储器编程和程序校验的控制信号。
RST复位输入。当振荡器工作时RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
ALEPROG当访问外部程序存储器或数据存储器时ALE地址锁存允许输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。即使不访问外部存储器ALE仍以时钟振荡频率的16输出固定的正脉冲信号因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。对Flash存储器编程期间该引脚还用于输入编程脉冲PROG。如有必要可通过对特殊功能寄存器SFR区中的8EH单元D0位置位可禁止ALE操作。该位置位后只有一条MOVX和MOVC指令ALE才会被激活。此外该引脚会被微弱拉高单片r