商务部公告2014年第4号——关于对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查最终裁定的公告
【法规类别】进口许可与管理【发文字号】商务部公告2014年第4号【发布部门】商务部【发布日期】20140120【实施日期】20140120【时效性】现行有效【效力级别】XE0303
商务部公告（2014年第4号）
关于对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查最终裁定的公告
根据《中华人民共和国反补贴条例》（以下简称《反补贴条例》）的规定，2012年7月20日，商务部（以下称调查机关）发布年度第41号公告，决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅（以下称被调查产品）进行反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。120
f调查机关对被调查产品是否存在补贴及补贴金额、中国太阳能级多晶硅产业是否受到损害及损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定，2013年9月16日，调查机关发布初裁公告，认定被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。初步裁定后，调查机关继续对补贴和补贴金额、损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行调查。现本案调查结束，根据调查结果，并依据《反补贴条例》第二十六条的规定，调查机关作出最终裁定（见附件）。现将有关事项公告如下：一、最终裁定经过调查，调查机关最终裁定，在本案调查期内，被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。二、被调查产品范围及措施范围本案被调查产品及实施措施产品的具体描述如下：调查和措施范围：原产于美国的进口太阳能级多晶硅。被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：SolarGradePolysilico
。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率＜300欧姆厘米（Ωcm）；基硼电阻率＜2600欧姆厘米（Ωcm）；碳浓度＞10×1016（atcm3）；
型少数载流子寿命＜500μs；施主杂质浓度＞03×109；受主杂质浓度＞0083×109。主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。该产品归在《中华人民共和国进出r