习题4
客观检测题
一、填空题
1场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件。2为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加反向电压来改变导电沟道的宽
度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻小。结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。3场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流不能穿过PN结（能，不能）。4对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或者零。
5对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为正，并且只能当VGSVTH时，才能形有Id。
6P沟道增强型MOS管的开启电压为负值。N沟道增强型MOS管的开启电压为正值。7场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；噪声低；温度稳定性好；饱和压降大；放大能力较差；频率特性较差（工作频率低）；输出功率较小。8场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。9场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。10由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，由于场效应管只有多数载流子参与导电，所以将其称为单极型的。
11跨导gm反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位为ms毫西门子。
12若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。13一个结型场效应管的转移特性曲线如题图41所示，则它是N沟道的效应管，它的夹断电压Vp是45V，饱和漏电流IDSS是54mA。
题图401填空题13图
f主观检测题
421已知某结型场效应管的IDSS＝2mA，Vp＝－4V，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。
解：根据方程：iD

IDSS1
vGSVP
2，逐点求出确定的
vGS下的
iD，可近似画出转移特
性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上vGD＝Vp的点连接起来，便为予夹断线；如
图421所示。
图421
431已知放大电路中一只N沟道增强型MOS管场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断①、②、③与G、S、D的对应关系。
解：命题给定的管子是增强型管，实际上也可以是耗尽型MOS管（具有两种可能）和结型场效应N沟道管，则三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如图431所示。
图431
441题图441所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，试问：（1）它是哪一种类型的场r