常用半导体器件
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A变窄B基本不变C变宽
（2）稳压管的稳压区是其工作在C。A正向导通B反向截止C反向击穿
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏
（4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有AC。A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管
（5）在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体，加入C元素可形成P型半导体。A五价B四价C三价
（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A增大B不变C减小
（7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。
A83B91C100
三、写出图T13所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝07V。
图T13
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmi
＝5mA。求图T14
f所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T14
五、某晶体管的输出特性曲线如图T15所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T15
六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T16所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态截止区、恒流区、可变电阻区，并填入表内。
表T16
管号
UGS（th）USVV
UGV
UDV工作状态
T1
4
－5
1
3
恒流区
T2
－4
3
3
10
截止区
T3
－4
6
0
5
可变电阻
区
f基本放大电路
一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电
路，其电压放大倍数应为10000。√
（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，√它只能放大交流信号。×
（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，√它只能放大直流信号。×
（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。×
（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。√
（6）在功率r