形式决定于正负离子的电荷数和相对大小。硬度高、强度大、熔沸点高、膨胀系数小由于电子少，多为绝缘体；不易吸收可见光，多为无色透明3、共价晶体由共价键结合，存在方向性和饱和性。配位数和方向受限制（配位须成键）多由非金属元素组成IVVIA族N族元素共价晶体的配位数为（8N）。强度高、硬度高、脆性大、熔点高、沸点高、挥发性低、结构比较稳定、导电能力较差。4、分子晶体组元为分子；以范氏力和氢键结合。若仅有范氏力：无方向性、饱和性，趋于密堆。常还受分子非球性及永久偶极相互作用影响。有氢键时：有方向性、饱和性，堆积密度低。5、多晶型：一化合物有两种以上的晶型6、液晶热致液晶：因温度变化（热）导致液晶相出现的物质纯化合物或均匀混合物。溶致液晶：在一定溶剂作用下，出现液晶相的物质。固溶体置换固溶体：晶体中的一种原子（离子）被其他原子（离子）替换后所形成的固溶体。
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f影响置换固溶体的因素：离子大小、键的性质或极化的影响、晶体结构型和晶胞的大小、电价的影响。间隙固溶体：若所加的原子比较小，它们能进入晶格的间隙位置内，形成的固溶体称间隙型固溶体。
晶体结构缺陷按照缺陷区相对晶体的大小，晶体缺陷可分为：点缺陷、线缺陷、面缺陷、提缺陷。点缺陷包括空位和间隙原子，如果只形成空位而不形成等量的间隙原子，这样形成的缺陷称为肖脱基缺陷。如果同时形成等量的空位和间隙原子，则所形成的缺陷称为弗仑克尔缺陷。线缺陷（位错）：棱位错（刃位错）和螺旋位错。柏格斯矢量：为了表明位错存在时，晶体一侧的质点相对另一侧质点的位移，用一个柏格斯矢量b表示。它是指该位错的单位滑移距离。刃位错的方向和柏格斯矢量相互垂直，其滑移运动方向与柏格斯矢量平行；螺旋位错的方向与柏格斯矢量相互逆向平行，其滑移运动方向与柏格斯矢量方向垂直。位错的滑移和爬移：位错的滑移是沿着滑移面的移动。位错的爬移是位错线垂直滑移面的移动，只有刃位错才会出现爬移。面缺陷：晶界、亚晶界
扩散稳态扩散：扩散物质的浓度分布不随时间变化，称为稳态扩散。稳态扩散用Fick第一定律描述。JxD△C△x。扩散通量：单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数称为扩散通量。根据Fick第一定律，物质迁移方向与浓度梯度的方向相反。稳态扩散中通量正比于浓度梯度和扩散系数。固体中的转变1、同素异构转变：改变温度或压力等条件，可使固体从一种晶体结构变为另一种晶体结构，这种r