第一章半导体二极管
一半导体的基础知识
1半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
如硅Si、锗Ge。
2特性光敏、热敏和掺杂特性。
3本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
P型半导体在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）
。
N型半导体
在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）
。
6杂质半导体的特性
载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7PN结
PN结的接触电位差硅材料约为0608V，锗材料约为0203V。
PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。
8PN结的伏安特性
二半导体二极管
单向导电性正向导通，反向截止。
二极管伏安特性同ＰＮ结。正向导通压降硅管0607V，锗管0203V。
死区电压硅管05V，锗管01V。
3分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低

若V阳V阴正偏，二极管导通短路
若V阳V阴反偏，二极管截止开路。
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
f2等效电路法
直流等效电路法
总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低

若V阳V阴正偏，二极管导通短路
若V阳V阴反偏，二极管截止开路。
三种模型
微变等效电路法
三稳压二极管及其稳压电路稳压二极管的特性正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
一三极管的结构、类型及特点1类型分为NPN和PNP两种。
第二章三极管及其基本放大电路
2特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二三极管的工作原理
1三极管的三种基本组态
f2三极管内各极电流的分配共发射极电流放大系数表明三极管是电流控制器件
式子
3共射电路的特性曲线输入特性曲线同二极管。
称为穿透电流。
输出特性曲线饱和管压降，用UCES表示
放大区发射结正偏，集电结反偏。截止区发射结反偏，集电结反偏。
4温度影响
温度升高r