自测题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将
。
A变窄
B基本不变
C变宽
（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是
。
AISeU
BISeUUT
CISeUUT－1
（3）稳压管的稳压区是其工作在
。
A正向导通
B反向截止
C反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
。
A前者反偏、后者也反偏
B前者正偏、后者反偏
C前者正偏、后者也正偏
（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有
。
A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管
解：（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC
11选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入
元素可形成N型半导体，加入
元素
可形成P型半导体。
A五价
B四价
C三价
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将
。
A增大
B不变
C减小
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，
IC从1mA变为2mA，那么它的β约为
。
A83
B91
C100
（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨
f导gm将
。
A增大
解：（1）A，C
B不变（2）A（3）C
C减小（4）A
一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于r