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自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()(5)结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。()解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将

A变窄
B基本不变
C变宽
(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是

AISeU
BISeUUT
CISeUUT-1
(3)稳压管的稳压区是其工作在

A正向导通
B反向截止
C反向击穿
(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为

A前者反偏、后者也反偏
B前者正偏、后者反偏
C前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有

A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管
解:(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC
11选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入
元素可形成N型半导体,加入
元素
可形成P型半导体。
A五价
B四价
C三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将

A增大
B不变
C减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,
IC从1mA变为2mA,那么它的β约为

A83
B91
C100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨
f导gm将

A增大
解:(1)A,C
B不变(2)A(3)C
C减小(4)A
一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于r
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